公开(公告)号：CN119571243B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510112512.5

申请日：2025-01-24

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 马文 ,  申喆 ,  杨景博 ,  李伯辰 ,  白玉 ,  董红英 ,  高元明

IPC: C23C4/134 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  H01F41/02 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明涉及一种提高钕铁硼磁体涂层结合力的方法和应用，该方法包括：稀土氢氧化物悬浮液的制备；钕铁硼磁体的双面喷涂；晶界热扩散处理。本发明方法将稀土氢氧化物热解为稀土氧化物沉积在烧结钕铁硼磁体表面，能够有效提升重稀土元素在磁体中的扩散深度，精确控制涂层的成分和厚度；节约了稀土氢氧化物制备稀土氧化物的成本，简化了扩散源的制备流程，喷涂效率高；所得涂层质量高，涂层孔隙率低、扩散源与磁体界面的结合强度高；有助于推进后续晶界扩散的进行，为晶界扩散技术工业化应用提供了新思路。

公开(公告)号：CN119571243A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510112512.5

申请日：2025-01-24

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 马文 ,  申喆 ,  杨景博 ,  李伯辰 ,  白玉 ,  董红英 ,  高元明

IPC: C23C4/134 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  H01F41/02 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明涉及一种提高钕铁硼磁体涂层结合力的方法和应用，该方法包括：稀土氢氧化物悬浮液的制备；钕铁硼磁体的双面喷涂；晶界热扩散处理。本发明方法将稀土氢氧化物热解为稀土氧化物沉积在烧结钕铁硼磁体表面，能够有效提升重稀土元素在磁体中的扩散深度，精确控制涂层的成分和厚度；节约了稀土氢氧化物制备稀土氧化物的成本，简化了扩散源的制备流程，喷涂效率高；所得涂层质量高，涂层孔隙率低、扩散源与磁体界面的结合强度高；有助于推进后续晶界扩散的进行，为晶界扩散技术工业化应用提供了新思路。