一种高纯度铁橄榄石合成方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119370855A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411944585.2

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明公开一种高纯度铁橄榄石合成方法,将FeCO3粉末与SiO2粉末混合,得到FeCO3‑SiO2混合物;将FeCO3‑SiO2混合物置于高纯度铁橄榄石合成装置中,进行焙烧;随炉冷却至室温,得到铁橄榄石。该方法工艺相对简单、设备要求低、合成时间短、原料利用率高、以及产物纯度高等优点,反应过程不需惰性气体气氛,且制备过程中无有毒有害气体产生。通过对反应条件优选控制,本申请所制备的铁橄榄石产物中,α‑铁橄榄石晶相的占比高于95%。相比现有铁橄榄石合成方法,无需多步加热以及对制备产物进行二次提纯。

    一种提高钕铁硼磁体涂层结合力的方法和应用

    公开(公告)号:CN119571243A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202510112512.5

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本发明涉及一种提高钕铁硼磁体涂层结合力的方法和应用,该方法包括:稀土氢氧化物悬浮液的制备;钕铁硼磁体的双面喷涂;晶界热扩散处理。本发明方法将稀土氢氧化物热解为稀土氧化物沉积在烧结钕铁硼磁体表面,能够有效提升重稀土元素在磁体中的扩散深度,精确控制涂层的成分和厚度;节约了稀土氢氧化物制备稀土氧化物的成本,简化了扩散源的制备流程,喷涂效率高;所得涂层质量高,涂层孔隙率低、扩散源与磁体界面的结合强度高;有助于推进后续晶界扩散的进行,为晶界扩散技术工业化应用提供了新思路。

    一种提高钕铁硼磁体涂层结合力的方法和应用

    公开(公告)号:CN119571243B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510112512.5

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本发明涉及一种提高钕铁硼磁体涂层结合力的方法和应用,该方法包括:稀土氢氧化物悬浮液的制备;钕铁硼磁体的双面喷涂;晶界热扩散处理。本发明方法将稀土氢氧化物热解为稀土氧化物沉积在烧结钕铁硼磁体表面,能够有效提升重稀土元素在磁体中的扩散深度,精确控制涂层的成分和厚度;节约了稀土氢氧化物制备稀土氧化物的成本,简化了扩散源的制备流程,喷涂效率高;所得涂层质量高,涂层孔隙率低、扩散源与磁体界面的结合强度高;有助于推进后续晶界扩散的进行,为晶界扩散技术工业化应用提供了新思路。

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