公开(公告)号：CN108484980A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810667668.X

申请日：2018-06-26

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 王海燕 ,  尤彦斌 ,  魏玉鹏 ,  李澜 ,  燕小斌 ,  马吉强

IPC: C08K9/12 ,  C08K9/02 ,  C08K7/24 ,  C08K3/22 ,  B33Y70/00

Abstract: 本发明公开了一种新型核壳结构复合材料制备方法，首先分别进行了羟基化BT和羧基化CNTs的制备。秤取羟基化BT加入盛有蒸馏水的瓶中，称取羧基化CNTs加入盛有DMF的瓶中，分别超声，将制得的羟基化BT的蒸馏水分散液注入吊瓶中，通过控制器使其滴入羧基化CNTs的DMF分散液中，在一定温度和磁力搅拌条件下反应，之后离心去除上层液体得到离心产物，之后再用去离子水离心洗涤。本发明的有益效果是采用了一种环保、工艺简单且成本低的方法制备了核壳结构的BT/CNTs复合材料。

公开(公告)号：CN115245799B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202111570747.7

申请日：2021-12-21

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 王海燕 ,  尤彦斌 ,  白霖睿 ,  咸龙帝 ,  王初晗 ,  李澜 ,  魏玉鹏 ,  王伊宁

IPC: B01J13/02 ,  B01J13/18 ,  B01J13/20 ,  C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18 ,  H01G4/18 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种双壳核壳结构粒子BT@SSMWNT@PANI的制备方法及该粒子在制备聚合物复合电介质材料中的应用。本发明通过原位聚合法在BT@SSCNT单壳核壳结构粒子的SSCNT壳层表面引入聚苯胺，制备了BT@SSCNT@PANI双壳核壳结构粒子。以该核壳粒子为填料，采用流延法制备了聚偏氟乙烯基高介电复合材料BT@SSCNT@PANI/PVDF。本发明制备的双壳核壳结构粒子的壳层具有由内至外电导率依次递增的特征，所制备的PVDF基柔性介电复合材料，在获得了高的介电常数的同时有效地抑制了介电损耗，特别是填充量为30 wt%时，介电常数高达1805（1 KHz），介电损耗仅为0.42。通过填料微观结构设计，具有梯度导电性双壳核壳结构粒子使聚合物复合电介质材料实现了介电常数和介电损耗协同改善。

公开(公告)号：CN115245799A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202111570747.7

申请日：2021-12-21

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 王海燕 ,  尤彦斌 ,  白霖睿 ,  咸龙帝 ,  王初晗 ,  李澜 ,  魏玉鹏 ,  王伊宁

IPC: B01J13/02 ,  B01J13/18 ,  B01J13/20 ,  C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18 ,  H01G4/18 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种双壳核壳结构粒子BT@SSMWNT@PANI的制备方法及该粒子在制备聚合物复合电介质材料中的应用。本发明通过原位聚合法在BT@SSCNT单壳核壳结构粒子的SSCNT壳层表面引入聚苯胺，制备了BT@SSCNT@PANI双壳核壳结构粒子。以该核壳粒子为填料，采用流延法制备了聚偏氟乙烯基高介电复合材料BT@SSCNT@PANI/PVDF。本发明制备的双壳核壳结构粒子的壳层具有由内至外电导率依次递增的特征，所制备的PVDF基柔性介电复合材料，在获得了高的介电常数的同时有效地抑制了介电损耗，特别是填充量为30 wt%时，介电常数高达1805（1 KHz），介电损耗仅为0.42。通过填料微观结构设计，具有梯度导电性双壳核壳结构粒子使聚合物复合电介质材料实现了介电常数和介电损耗协同改善。