公开(公告)号：CN115245799A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202111570747.7

申请日：2021-12-21

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 王海燕 ,  尤彦斌 ,  白霖睿 ,  咸龙帝 ,  王初晗 ,  李澜 ,  魏玉鹏 ,  王伊宁

IPC: B01J13/02 ,  B01J13/18 ,  B01J13/20 ,  C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18 ,  H01G4/18 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种双壳核壳结构粒子BT@SSMWNT@PANI的制备方法及该粒子在制备聚合物复合电介质材料中的应用。本发明通过原位聚合法在BT@SSCNT单壳核壳结构粒子的SSCNT壳层表面引入聚苯胺，制备了BT@SSCNT@PANI双壳核壳结构粒子。以该核壳粒子为填料，采用流延法制备了聚偏氟乙烯基高介电复合材料BT@SSCNT@PANI/PVDF。本发明制备的双壳核壳结构粒子的壳层具有由内至外电导率依次递增的特征，所制备的PVDF基柔性介电复合材料，在获得了高的介电常数的同时有效地抑制了介电损耗，特别是填充量为30 wt%时，介电常数高达1805（1 KHz），介电损耗仅为0.42。通过填料微观结构设计，具有梯度导电性双壳核壳结构粒子使聚合物复合电介质材料实现了介电常数和介电损耗协同改善。

公开(公告)号：CN115245799B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202111570747.7

申请日：2021-12-21

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 王海燕 ,  尤彦斌 ,  白霖睿 ,  咸龙帝 ,  王初晗 ,  李澜 ,  魏玉鹏 ,  王伊宁

IPC: B01J13/02 ,  B01J13/18 ,  B01J13/20 ,  C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18 ,  H01G4/18 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种双壳核壳结构粒子BT@SSMWNT@PANI的制备方法及该粒子在制备聚合物复合电介质材料中的应用。本发明通过原位聚合法在BT@SSCNT单壳核壳结构粒子的SSCNT壳层表面引入聚苯胺，制备了BT@SSCNT@PANI双壳核壳结构粒子。以该核壳粒子为填料，采用流延法制备了聚偏氟乙烯基高介电复合材料BT@SSCNT@PANI/PVDF。本发明制备的双壳核壳结构粒子的壳层具有由内至外电导率依次递增的特征，所制备的PVDF基柔性介电复合材料，在获得了高的介电常数的同时有效地抑制了介电损耗，特别是填充量为30 wt%时，介电常数高达1805（1 KHz），介电损耗仅为0.42。通过填料微观结构设计，具有梯度导电性双壳核壳结构粒子使聚合物复合电介质材料实现了介电常数和介电损耗协同改善。