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公开(公告)号：CN111367849B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010004154.3
申请日：2020-01-02
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F13/42
Abstract: 本发明提供了一种高速串行总线数据同步的方法，包括：基于FPGA芯片搭建RapidIO高速通讯协议总线；将RapidIO高速通讯协议总线的数据包和同步控制指令通过交换机下发至多个级联设备；所述多个级联设备执行同步控制指令实现时钟同步；系统内多级设备同步采用参数控制延时方式实现设备内部所有终端的同步，同步误差更小，实现了高速串行总线通讯的系统同步，同步控制指令优先级更高，可以实时插入到数据帧中，提高了同步信号的实时性。由外部硬件同步改成内部软件数据总线协议类型同步，减少了系统内各设备内部各个终端的外同步接口，缩减了设备体积以及硬件成本。
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公开(公告)号：CN111367849A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010004154.3
申请日：2020-01-02
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F13/42
Abstract: 本发明提供了一种高速串行总线数据同步的方法，包括：基于FPGA芯片搭建RapidIO高速通讯协议总线；将RapidIO高速通讯协议总线的数据包和同步控制指令通过交换机下发至多个级联设备；所述多个级联设备执行同步控制指令实现时钟同步；系统内多级设备同步采用参数控制延时方式实现设备内部所有终端的同步，同步误差更小，实现了高速串行总线通讯的系统同步，同步控制指令优先级更高，可以实时插入到数据帧中，提高了同步信号的实时性。由外部硬件同步改成内部软件数据总线协议类型同步，减少了系统内各设备内部各个终端的外同步接口，缩减了设备体积以及硬件成本。
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公开(公告)号：CN113542133A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010323577.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H04L12/751 , H04L12/911 , H04L12/927 , H04L5/00 , H04L1/00
Abstract: 本发明涉及一种多通道总线信道的自动配置方法、主节点、从节点及系统，涉及工业控制及通讯领域，主要应用于电力电子装置控制保护系统，该方案制定了一套硬件平台组网通讯过程中自动配置通讯地址的流程，及面对系统需要扩展时对单元节点进行热插拔的应对措施，以通讯协议形式实现，应用于实际工程中将极大节省板卡程序版本管理及烧写的工作量。
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公开(公告)号：CN113542133B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010323577.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种多通道总线信道的自动配置方法、主节点、从节点及系统，涉及工业控制及通讯领域，主要应用于电力电子装置控制保护系统，该方案制定了一套硬件平台组网通讯过程中自动配置通讯地址的流程，及面对系统需要扩展时对单元节点进行热插拔的应对措施，以通讯协议形式实现，应用于实际工程中将极大节省板卡程序版本管理及烧写的工作量。
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公开(公告)号：CN114839858A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210441729.7
申请日：2022-04-25
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05B9/03
Abstract: 本发明公开了安控通信故障监控方法、系统、设备及存储介质，采集安全稳定控制系统实时性能数据；经过筛选得到与单板故障相关度大于设定阈值的实时性能数据；将与单板故障相关度大于设定阈值的实时性能数据输入故障定位模型，得到对应的疑似故障单板位置；将与单板故障的相关度大于设定阈值的实时性能数据输入故障校验模型，判断与单板故障的相关度大于设定阈值的实时性能数据为正常数据或故障数据，将故障数据对应的疑似故障单板位置确定为真实故障单板位置。本发明使安全稳定控制系统可以准确的定位故障，确定故障类型，同时匹配与决策方案处理故障，从而达到保障电力安全的目标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114441923B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210367078.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种瞬态热阻的模拟系统与方法。所述模拟系统包括：信号生成装置，用于生成一组激励信号，其中该组激励信号中的不同激励信号具有相同的占空比与不同的周期；测量电路，用于将所述不同激励信号分别施加在IGBT模块的等效热阻模型的两端，以测量所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻；以及转换装置，用于将所述不同激励信号下的所述等效热阻模型的最大瞬态热阻转换成所述占空比下的IGBT模块的瞬态热阻曲线。由此，本发明可搭建出一套针对IGBT模块的等效热阻仿真电路，通过改变仿真电路中的脉冲方波激励信号来快速获取IGBT模块的瞬态热阻曲线。
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公开(公告)号：CN113900025A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111343836.8
申请日：2021-11-14
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Inventor： 孔圣立 , 刘昊 , 陈宇 , 韩伟 , 马伟东 , 刘磊 , 李琼林 , 王阳 , 吴春红 , 刘尧 , 段文岩 , 郭培 , 刘超 , 党一奇 , 蔡得雨 , 张峰 , 乔利红 , 王默 , 肖超
IPC: G01R31/36
Abstract: 本发明涉及一种测定可充电电池的可用参考指标的方法及其应用，包括：对标准可充电电池进行核对性放电试验，自开始放电时刻开始采样所述标准可充电电池的电压，设采样间隔时间为Δt，采样得到的相邻两次电压数据分别为Un‑1、Un，其中n≥1，U0为开始放电时刻采样得到的电压数据；计算特征值所述特征值kn为可充电电池核对性放电试验t0至t0+n·Δt期间的可用参考指标，其中，t0为核对性放电试验的开始放电时刻。它可以缩短可充电电池老化状态测量的时间。
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公开(公告)号：CN112418617A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011234567.7
申请日：2020-11-07
Applicant: 国网山东省电力公司东阿县供电公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种电力数据分析方法、系统、终端及存储介质，均能够：采集待测配电线路的电力数据；判断每个电力数据是否位于各自对应的预先设定的数据阈值范围内；对于每个电力参数：在每次判定所采集到的电力参数的电力数据不位于对应数据阈值范围内时，统计在过去预设时间段T2内所采集的该电力参数所对应的相关电力数据的总个数，并在判断所述总个数达到该电力参数对应的个数阈值时，将第二存储单元存储的该电力参数的电力数据全部推送给预先设定的电力工作人员；每间隔预先设定的时间长度T3，进行待测配电线路的全部未上传过的电力数据上传至监控中心。本发明用于对配电线路的实时负荷及实时温度进行统计分析，以提高供电安全性。
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公开(公告)号：CN119716195A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411745759.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 国家电网有限公司直流技术中心 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 董曼玲 , 姚德贵 , 鲁一苇 , 张朝峰 , 肖超 , 王森 , 张嘉涛 , 吴加新 , 周宁 , 武振宇 , 张国华 , 魏卓 , 曾嵘 , 余占清 , 娄彦涛 , 高珂 , 王江平 , 张磊 , 王峰瀛
IPC: G01R15/18 , H02M1/00 , H02M7/162 , H02J3/36 , G01R19/175
Abstract: 本本发明属于HCC新型高压直流换流器技术领域，具体涉及一种HCC换流阀电流测量策略，包括在电流互感器配置拓扑的每个桥臂上都设置电流互感器采集装置以测量换流器桥臂电流；所述的电流互感器采集装置同时连接有阀控装置和极控装置，所述的阀控装置对直流母线电流和换流变阀侧交流电流进行测量以进行主动关断判断，所述的极控装置对桥臂电流、直流母线电流和换流变阀侧交流电流进行同时测量以进行阀内故障判断。该策略满足复合式HCC新型高压直流换流器电流测量的要求，进行装置的控制策略判据和设备保护判据，保证换流器正常工作。
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公开(公告)号：CN119008694A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411007660.2
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种宽禁带MOSFET器件及制造方法。所述宽禁带MOSFET器件包括：碳化硅衬底、碳化硅漂移区、沟道区、源区、栅极结构、漏极以及第一保护层，碳化硅漂移区形成于碳化硅衬底的表面，沟道区及源区形成于碳化硅漂移区的表面；第一保护层包括两个倾斜结构，两个倾斜结构分别位于碳化硅漂移区的两侧；所述倾斜结构包括倾斜部和水平部，倾斜部与源区和碳化硅漂移区的侧壁相接，水平部延伸至碳化硅漂移区的底部，倾斜部相较于水平部的倾斜角度为钝角。本发明的第一保护区为斜角形态，保护区的边界更平缓、圆滑，更容易实现碳化硅漂移区内的横向耗尽，不容易被击穿，可提高器件的耐压性能。
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