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公开(公告)号：CN110313055B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780086671.6
申请日：2017-10-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/308 , B23K26/53 , H01L21/306
Abstract: 一种蚀刻方法，通过使用处于预定高温区域的熔融氢氧化钠(SHL)作为熔融碱，一边在高温且含氧的环境下，在基板面由Si面和C面构成的SiC基板(PL)的被蚀刻面上形成氧化被膜，一边以高于C面的速度除去被蚀刻面的Si面。
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公开(公告)号：CN109659225A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN108788449A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810360957.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学 , 信越化学工业株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/7813 , B23K26/0006 , B32B43/006 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02414 , H01L21/02527 , B23K26/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。
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公开(公告)号：CN110301036B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201780086620.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/306 , B23K26/53 , H01L21/308
Abstract: 一种使用熔融碱来蚀刻基板的蚀刻方法，使用处于预定高温区域的熔融碱AL，一边在高温且含氧的环境下在基板PL的被蚀刻面形成氧化被膜，一边通过对被蚀刻面进行各向同性蚀刻从而除去氧化被膜。
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公开(公告)号：CN110313055A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201780086671.6
申请日：2017-10-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/308 , B23K26/53 , H01L21/306
Abstract: 一种蚀刻方法，通过使用处于预定高温区域的熔融氢氧化钠(SHL)作为熔融碱，一边在高温且含氧的环境下，在基板面由Si面和C面构成的SiC基板(PL)的被蚀刻面上形成氧化被膜，一边以高于C面的速度除去被蚀刻面的Si面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109659225B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN110301035B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201780086652.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 信越聚合物株式会社(JP) , 国立大学法人埼玉大学(JP)
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/064 , B23K26/067 , B23K26/53 , C30B29/36 , C30B33/04 , C30B33/10
Abstract: 本发明的剥离基板制造方法具有将激光聚光于距基板(10)表面为预定深度处的激光聚光步骤、以及使激光聚光器相对于基板(10)相对地移动并进行定位的定位步骤，从而在基板(10)上形成加工层。另外，利用加工层将形成有加工层的基板(10)剥离而制作剥离基板。激光聚光步骤包含使用将激光分支成多束分支激光的衍射光学元件(170)而使分支激光的至少一束按照其强度不同于其他分支激光的方式进行分支的激光调节步骤，在多束分支激光中，利用强度相对高的分支激光使加工层伸长而对基板(10)进行加工，同时利用强度相对低的分支激光来抑制加工层的伸长。
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公开(公告)号：CN110301035A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201780086652.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/064 , B23K26/067 , B23K26/53 , C30B29/36 , C30B33/04 , C30B33/10
Abstract: 本发明的剥离基板制造方法具有将激光聚光于距基板(10)表面为预定深度处的激光聚光步骤、以及使激光聚光器相对于基板(10)相对地移动并进行定位的定位步骤，从而在基板(10)上形成加工层。另外，利用加工层将形成有加工层的基板(10)剥离而制作剥离基板。激光聚光步骤包含使用将激光分支成多束分支激光的衍射光学元件(170)而使分支激光的至少一束按照其强度不同于其他分支激光的方式进行分支的激光调节步骤，在多束分支激光中，利用强度相对高的分支激光使加工层伸长而对基板(10)进行加工，同时利用强度相对低的分支激光来抑制加工层的伸长。
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公开(公告)号：CN103069369B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201080068573.8
申请日：2010-06-17
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
CPC classification number: G02F1/13338 , G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 输入装置包括：输入部件，以在厚度方向上层叠的方式设置有一对导电性基板，该导电性基板具有绝缘基板以及透明导电膜（12、22），透明导电膜（12、22）设置在所述绝缘基板上且在具有绝缘性的透明基体（2）内具备由具有导电性的金属构成的网状部件；以及检测单元，电连接于所述透明导电膜（12、22），检测输入信号，在所述透明导电膜（12、22）上设置有：通过在所述透明基体（2）内配置所述网状部件而成的导电部、以及通过除去所述透明基体（2）内的所述网状部件的至少一部分而成的绝缘部（I）。
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公开(公告)号：CN103069369A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201080068573.8
申请日：2010-06-17
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
CPC classification number: G02F1/13338 , G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 输入装置包括：输入部件，以在厚度方向上层叠的方式设置有一对导电性基板，该导电性基板具有绝缘基板以及透明导电膜（12、22），透明导电膜（12、22）设置在所述绝缘基板上且在具有绝缘性的透明基体（2）内具备由具有导电性的金属构成的网状部件；以及检测单元，电连接于所述透明导电膜（12、22），检测输入信号，在所述透明导电膜（12、22）上设置有：通过在所述透明基体（2）内配置所述网状部件而成的导电部、以及通过除去所述透明基体（2）内的所述网状部件的至少一部分而成的绝缘部（I）。
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