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公开(公告)号：CN106687625B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201580048867.7
申请日：2015-08-25
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其特征在于，在将熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下测量从位于所述熔融液面上的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，从而将所述间隔调整成规定距离。由此，即使未在炉内局部性地设置要求精度的位置、且更换构成炉内构造物的部件的情况下，也能够将熔液表面间隔调整成规定距离。
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公开(公告)号：CN105793475B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480065877.7
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。
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公开(公告)号：CN103890241B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280051969.0
申请日：2012-10-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 岩崎淳
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，该方法是通过CZ法的单晶的制造方法，该单晶的制造方法对于在制造单晶的炉内所使用的至少一个石墨配件的Ni浓度进行分析，并使用该所分析的Ni浓度为30ppb以下的石墨配件而制造上述单晶。由此，提供一种在通过CZ法的单晶的制造中，能够制造不会发生LT(Life Time)降低和LPD(Light Point Defect)异常的高质量的单晶的方法。
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公开(公告)号：CN105793475A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065877.7
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105531406A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050778.1
申请日：2014-09-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种单晶硅提拉装置，其是具备坩埚、主腔室及屏蔽罩并基于切克劳斯基法的单晶硅提拉装置，所述坩埚收容原料；所述主腔室收纳有加热该原料从而形成原料熔液的加热器；所述屏蔽罩配置在所述加热器与所述主腔室之间，来隔绝来自所述加热器的辐射热，所述单晶硅提拉装置的特征在于，具有从下方支撑所述加热器及所述屏蔽罩的支撑部件，所述支撑部件可升降，由此所述加热器和所述屏蔽罩可一起升降。由此，提供一种单晶硅提拉装置，其能够在调节热历程的同时，使提高单晶硅的提拉速度和降低氧浓度变得容易。
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公开(公告)号：CN113574213B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201980094084.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其基于切克劳斯基法，具备：主腔室(2)，其容纳收纳原料融液(5)的坩埚(6)、(7)及对原料融液(5)进行加热的加热器(8)；提拉腔室(3)，其连接设置于主腔室(2)的上部，收纳从原料融液(5)提拉的单晶(4)；冷却筒(12)，其以包围单晶(4)的方式从主腔室(2)的顶部朝向原料融液(5)的表面延伸；以及冷却辅助筒(19)，其嵌合于冷却筒(12)的内侧，还具备嵌合于冷却辅助筒(19)的直径扩大部件(20)，冷却辅助筒(19)具有沿轴向贯穿的裂缝，且通过按入直径扩大部件(20)从而直径扩大而与冷却筒(12)紧密贴合。由此，能够高效地冷却生长中的单晶，并实现该单晶的生长速度的高速化。
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公开(公告)号：CN106687625A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580048867.7
申请日：2015-08-25
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其特征在于，在将熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下测量从位于所述熔融液面上的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，从而将所述间隔调整成规定距离。由此，即使未在炉内局部性地设置要求精度的位置、且更换构成炉内构造物的部件的情况下，也能够将熔液表面间隔调整成规定距离。
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公开(公告)号：CN103890241A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051969.0
申请日：2012-10-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 岩崎淳
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，该方法是通过CZ法的单晶的制造方法，该单晶的制造方法对于在制造单晶的炉内所使用的至少一个石墨配件的Ni浓度进行分析，并使用该所分析的Ni浓度为30ppb以下的石墨配件而制造上述单晶。由此，提供一种在通过CZ法的单晶的制造中，能够制造不会发生LT(Life？Time)降低和LPD(Light？Point？Defect)异常的高质量的单晶的方法。
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公开(公告)号：CN113574213A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980094084.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其基于切克劳斯基法，具备：主腔室(2)，其容纳收纳原料融液(5)的坩埚(6)、(7)及对原料融液(5)进行加热的加热器(8)；提拉腔室(3)，其连接设置于主腔室(2)的上部，收纳从原料融液(5)提拉的单晶(4)；冷却筒(12)，其以包围单晶(4)的方式从主腔室(2)的顶部朝向原料融液(5)的表面延伸；以及冷却辅助筒(19)，其嵌合于冷却筒(12)的内侧，还具备嵌合于冷却辅助筒(19)的直径扩大部件(20)，冷却辅助筒(19)具有沿轴向贯穿的裂缝，且通过按入直径扩大部件(20)从而直径扩大而与冷却筒(12)紧密贴合。由此，能够高效地冷却生长中的单晶，并实现该单晶的生长速度的高速化。
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