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公开(公告)号：CN101123264A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140892.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , B41J2/45
Abstract: 发光元件阵列和成像装置。该发光元件阵列可以被制造而无需金属反射层的分离。该发光元件阵列包括提供在衬底上的多个发光元件部分，相邻发光元件部分之间的空间中至少一个空间彼此电分离，其中金属反射层提供在衬底上并且在多个发光元件部分下，并且用于发光元件部分之间的电分离的电阻层提供在多个发光元件部分与金属反射层之间。多个发光元件部分被划分成多个分块。每个分块包括多个发光部分。发光部分之间的电分离可以制造成作为相邻的不同分块中的相邻发光元件部分之间的电分离。
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公开(公告)号：CN101247026B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810005655.2
申请日：2008-02-14
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备。红色表面发射激光器元件包括：第一反射器；包括p型半导体多层膜的第二反射器；在第一反射器和第二反射器之间的活性层；以及在活性层和第二反射器之间的P型半导体间隔层，该p型半导体间隔层具有大于等于100nm且小于等于350nm的厚度。
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公开(公告)号：CN101442182A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810178619.6
申请日：2008-11-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了表面发射激光器以及图像形成装置。一种以波长λ振荡的表面发射激光器包括上部反射器、下部反射器、活性层和间隔层。所述间隔层是包括成分为AlxGa1－xAs(1≥x＞0)的第一半导体子层和成分为AlyGa1－yAs(1＞y＞0并且x＞y)的第二半导体子层的叠层结构。
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公开(公告)号：CN101394064B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810149702.0
申请日：2008-09-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/18313 , B41J2/435 , H01S5/18333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了垂直腔表面发射激光器以及使用其的成像设备。提供了具有抑制多模操作的多层反射器的激光器。垂直腔表面发射激光器包括层叠的第一反射镜、具有活性层的腔、以及第二反射镜。第二反射镜是由多次交替地层叠的第一层和第二层构成的多层反射器，第二层的折射率高于第一层的折射率。多个第二层中的至少一个第二层具有氧化限制结构，该氧化限制结构具有氧化区域和非氧化区域。
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公开(公告)号：CN101640375A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910165013.3
申请日：2009-07-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/209 , H01S5/34326 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供制造面发射激光器及其阵列的方法和光学设备。该光学设备包括由该方法制造的面发射激光器阵列。本发明提供了一种用于制造面发射激光器的方法，该面发射激光器包括提供在层叠的半导体层上的表面起伏结构，该方法包含以下步骤：在同一个工艺中将用于限定台面结构的第一图案和用于限定该表面起伏结构的第二图案转移到第一介电膜；以及在第一图案和第二图案已经被转移到其上的该层叠的第一介电膜以及半导体层的表面上形成第二介电膜。因此，可以将表面起伏结构的中心位置与电流限制结构的中心位置高精度地对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101640375B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910165013.3
申请日：2009-07-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/209 , H01S5/34326 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供制造面发射激光器及其阵列的方法和光学设备。该光学设备包括由该方法制造的面发射激光器阵列。本发明提供了一种用于制造面发射激光器的方法，该面发射激光器包括提供在层叠的半导体层上的表面起伏结构，该方法包含以下步骤：在同一个工艺中将用于限定台面结构的第一图案和用于限定该表面起伏结构的第二图案转移到第一介电膜；以及在第一图案和第二图案已经被转移到其上的该层叠的第一介电膜以及半导体层的表面上形成第二介电膜。因此，可以将表面起伏结构的中心位置与电流限制结构的中心位置高精度地对准。
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公开(公告)号：CN101442182B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810178619.6
申请日：2008-11-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了表面发射激光器以及图像形成装置。一种以波长λ振荡的表面发射激光器包括上部反射器、下部反射器、活性层和间隔层。所述间隔层是包括成分为AlxGa1-xAs(1≥x>0)的第一半导体子层和成分为AlyGa1-yAs(1>y>0并且x>y)的第二半导体子层的叠层结构。
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公开(公告)号：CN101132118B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710147710.7
申请日：2007-08-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 竹内哲也
CPC classification number: H01S5/18369 , B82Y20/00 , H01L33/105 , H01S5/10 , H01S5/18358 , H01S5/3201 , H01S5/34306 , H01S5/34333 , H01S5/3436
Abstract: 公开了一种光学设备，包括具有光学厚度不为λ/4的层的多层反射器，以及一种使用这种光学设备的垂直腔面发射激光器。能够抑制由λ/4光学厚度的偏差造成的共振频率偏移或反射率下降，从而改善性能和产量。用于产生波长λ的光的光学设备包括反射器和活性层。反射器为半导体多层反射器，包含被交替层压并具有不同折射率的第一层和第二层。第一层具有小于λ/4的光学厚度。第二层具有大于λ/4的光学厚度。在第一层和第二层之间的界面位于既不在反射器内光强分布的波节的位置也不在波腹的位置。
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公开(公告)号：CN101447643A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178670.7
申请日：2008-11-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/18358 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/34326 , H01S2301/163
Abstract: 本发明涉及一种表面发射激光器和使用表面发射激光器形成的光学设备。表面发射激光器在第一分布式布拉格反射器和第二分布式布拉格反射器之间具有活性层。形成第一分布式布拉格反射器以便具有被包括在反射阻带中的谐振模和与谐振模不同的第一纵模以及被排除在反射阻带之外的与谐振模和第一纵模不同的第二纵模。在第一纵模和第二纵模下振荡被抑制。结果，表面发射激光器可在单纵模下振荡，从而抑制纵模跳跃。
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公开(公告)号：CN101394064A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149702.0
申请日：2008-09-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/18313 , B41J2/435 , H01S5/18333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了垂直腔表面发射激光器以及使用其的成像设备。提供了具有抑制多模操作的多层反射器的激光器。垂直腔表面发射激光器包括层叠的第一反射镜、具有活性层的腔、以及第二反射镜。第二反射镜是由多次交替地层叠的第一层和第二层构成的多层反射器，第二层的折射率高于第一层的折射率。多个第二层中的至少一个第二层具有氧化限制结构，该氧化限制结构具有氧化区域和非氧化区域。
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