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公开(公告)号：CN100495740C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200310114921.2
申请日：2003-11-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/078
CPC classification number: H01L31/03685 , B32B17/10788 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种光电元件，在设置了透明性保护部件后的最终制品状态下其转换效率高、制造成本低、轻质、且综合性能优越。该光电元件，从光入射侧依次包含具有i型非晶态半导体的第一pin结、具有i型微晶半导体的第二pin结、和具有i型微晶半导体的第三pin结，其特征在于：上述第一pin结的光入射侧至少具有透明性保护部件和透明电极层，且在上述多个pin结产生的光电流中，由上述第三pin结产生的光电流最少。
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公开(公告)号：CN102428756A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021158.7
申请日：2010-05-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L51/0073
Abstract: 本发明提供了一种用于制造有机电致发光显示设备的方法，所述有机电致发光显示设备包括衬底和多个像素，每个像素包括两种或更多种类型的子像素，所述像素被布置在所述衬底的显示区域中，并且在子像素之中，一种类型的子像素为以一定的间隔设置的指定子像素。通过使用在与从显示区域的侧端起计数的第(2n-1)个指定子像素对应的位置处具有开口的掩模选择性地形成从显示区域的侧端起计数的第(2n-1)个指定子像素(其中n表示1或更大的整数)、并且使用在与从侧端起计数的第(2n)个指定子像素对应的位置处具有开口的掩模选择性地形成从侧端起计数的第(2n)个指定子像素，来形成所述指定子像素。
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公开(公告)号：CN1501514A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114921.2
申请日：2003-11-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/078
CPC classification number: H01L31/03685 , B32B17/10788 , H01L31/076 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种光电元件，在设置了透明性保护部件后的最终制品状态下其转换效率高、制造成本低、轻质、且综合性能优越。该光电元件，从光入射侧依次包含具有i型非晶态半导体的第一pin结、具有i型微晶半导体的第二pin结和具有i型微晶半导体的第三pin结，其特征在于：上述第一pin结的光入射侧至少具有透明性保护部件和透明电极层，且在上述多个pin结产生的光电流中，由上述第三pin结产生的光电流最少。
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公开(公告)号：CN102856349A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210224859.1
申请日：2012-06-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L27/3244 , H01L51/5284
Abstract: 本发明涉及显示装置和配备该显示装置的图像信息处理设备。在透镜阵列与第一电极之间设置具有与透镜对应的多个开口的光吸收层。该开口中的每一个的边缘被设置成使得沿基板的法线方向入射并穿过相应的透镜具有最大倾斜角的区域的光被阻挡。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102856349B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210224859.1
申请日：2012-06-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L27/3244 , H01L51/5284
Abstract: 本发明涉及显示装置和配备该显示装置的图像信息处理设备。在透镜阵列与第一电极之间设置具有与透镜对应的多个开口的光吸收层。该开口中的每一个的边缘被设置成使得沿基板的法线方向入射并穿过相应的透镜具有最大倾斜角的区域的光被阻挡。
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公开(公告)号：CN100495739C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200310114917.6
申请日：2003-11-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/078
CPC classification number: H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种叠层型光电元件，由在基体上层叠多个具有pin结的光电元件而成，上述pin结是由分别用以IV族元素为主成分的非单晶构成的p型半导体层、i型半导体、n型半导体层形成的，其特征在于：从光入射侧算起，第一i型半导体层由氢化非晶态硅构成，第二以后的i型半导体层由氢化非晶态硅或微晶硅构成；在第二以后的pin元件中，用i型半导体层是微晶硅的pin元件制作pin光电单元件时得到的开路端电压为Voc，该i型半导体层的膜厚为t时，使包含Voc/t的值最大的i型半导体层的pin元件的短路光电流密度比其它pin元件的短路光电流密度更小。
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