用于电子成象的受光部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1445614A

    公开(公告)日:2003-10-01

    申请号:CN03103305.9

    申请日:1995-04-27

    CPC classification number: G03G5/08242 G03G5/08235

    Abstract: 一种电子成象受光部件,包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层,所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成,并含有原子百分比10到30的氢,从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV,在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。

    用于电子成象的受光部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1122877C

    公开(公告)日:2003-10-01

    申请号:CN95105042.7

    申请日:1995-04-27

    CPC classification number: G03G5/08242 G03G5/08235

    Abstract: 一种电子成象受光部件,包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层,所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成,并含有原子百分比10到30的氢,从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV,在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。

    用于电子成象的受光部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1120684A

    公开(公告)日:1996-04-17

    申请号:CN95105042.7

    申请日:1995-04-27

    CPC classification number: G03G5/08242 G03G5/08235

    Abstract: 一种电子成象受光部件,包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层,所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成,并含有原子百分比10到30的氢,从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV,在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。

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