-
公开(公告)号:CN1445614A
公开(公告)日:2003-10-01
申请号:CN03103305.9
申请日:1995-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/04
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08235
Abstract: 一种电子成象受光部件,包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层,所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成,并含有原子百分比10到30的氢,从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV,在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。
-
公开(公告)号:CN1289971C
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN03152268.8
申请日:2003-08-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08 , G03G5/08214 , G03G5/08221 , G03G5/08235 , G03G5/14704
Abstract: 本发明提供了一种电摄影感光体的制造方法,是即使在感光体表面存在称为球状凸起203的异常成长部分,也能够不使其在图像上显出,大幅度改善图像缺陷的方法。在含有由非单结晶材料组成的层的电摄影感光体的制造方法中,作为第1步,在具备排气装置和原料气供给装置的能够真空气密的成膜炉内,设置具有导电性表面的基体201,通过高频电功率至少分解原料气,在上述基体上,至少堆积由非单结晶材料组成的第1层202的步骤;作为第2步,将堆积了第1层的基体暴露在大气中的步骤;作为第3步,在上述成膜炉内,通过高频电功率至少分解原料气,在上述第1层上堆积包括由非单结晶材料构成的上部阻滞层205的第2层的步骤。
-
公开(公告)号:CN1484102A
公开(公告)日:2004-03-24
申请号:CN03152268.8
申请日:2003-08-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/08
CPC classification number: G03G5/08 , G03G5/08214 , G03G5/08221 , G03G5/08235 , G03G5/14704
Abstract: 本发明提供了一种电摄影感光体的制造方法,是即使在感光体表面存在称为球状凸起203的异常成长部分,也能够不使其在图像上显出,大幅度改善图像缺陷的方法。在含有由非单结晶材料组成的层的电摄影感光体的制造方法中,作为第1步,在具备排气装置和原料气供给装置的能够真空气密的成膜炉内,设置具有导电性表面的基体201,通过高频电功率至少分解原料气,在上述基体上,至少堆积由非单结晶材料组成的第1层202的步骤;作为第2步,将堆积了第1层的基体暴露在大气中的步骤;作为第3步,在上述成膜炉内,通过高频电功率至少分解原料气,在上述第1层上堆积包括由非单结晶材料构成的上部阻滞层205的第2层的步骤。
-
公开(公告)号:CN1122877C
公开(公告)日:2003-10-01
申请号:CN95105042.7
申请日:1995-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/082
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08235
Abstract: 一种电子成象受光部件,包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层,所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成,并含有原子百分比10到30的氢,从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV,在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。
-
公开(公告)号:CN1120684A
公开(公告)日:1996-04-17
申请号:CN95105042.7
申请日:1995-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/00
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08235
Abstract: 一种电子成象受光部件,包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层,所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成,并含有原子百分比10到30的氢,从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV,在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。
-
-
-
-