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公开(公告)号：CN1088882C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN95119434.8
申请日：1995-12-21
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 桥爪淳一郎
CPC classification number: G03G5/08235
Abstract: 一种光接收部件和包括该部件的静电复印装置，该光接收部件包括：导电基体，含有至少一种非单晶硅型材料能够呈现光导电性的第一层，含有硅原子和从碳原子、氮原子及氧原子构成的原子团中选择的一种的第二层，含有硅原子和从碳原子、氮原子及氧原子构成的原子团中选择的一种的第三层，其导电方式已调整为与充电极性相同的极性，第一、第二和第三层设置在导电基体上，其中上述光接收部件按正向充电使用而且不需要圆筒加热器。
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公开(公告)号：CN1126991C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN98106915.0
申请日：1998-04-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/00
CPC classification number: G03G5/14773 , G03G5/0433 , G03G5/08285
Abstract: 为了改善光敏部件表面上色调剂的释放性能和滑溜性，由具有低自旋密度和短的自旋松弛时间且至少包括氢原子的非单晶碳膜形成光敏部件的表面层，从而提供能形成很精密和高质量的图象且有很长的寿命，并提供一种光敏部件，它有高灵敏度，可不引起因泄放造成的有任何缺陷的图象，并能够随时间无任何变化、稳定地获得无重影、高质量的图象。
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公开(公告)号：CN1196505A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN98106913.4
申请日：1998-04-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/04
CPC classification number: G03G5/0433 , G03G5/08285 , G03G5/14704
Abstract: 提供了一种光接收部件,该光接收部件包括设置在导电基底上的光电导层以及设置在所述光电导层上的表面层,所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳,其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm－1或1120cm－1附近的峰的面积与其中心在2920cm－1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。该光接收部件使得能够在任何条件下,在不采用用于光接收部件的加热装置的情况下,获得没有模糊图象或不清楚的图象的高质量的图象,并具有足以保持这种高质量特性的高耐久性。
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公开(公告)号：CN1095096C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN97103146.0
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/26 , G03G5/0433 , G03G5/08221 , G03G5/08285 , G03G5/14704
Abstract: 一种光接收元件，包括导电衬底，光电导层，和由含氢原子的非单晶碳材料组成的表面保护层，其中表面保护层的20埃或更厚的表面侧层区域，用以50MHz到450MHz振荡频率的甚高频能(VHF)分解含氟的气产生的含氟等离子体，以0.1到50埃/秒的刻蚀速度刻蚀，使表面保护层具有100埃到10000埃的厚度的淀积了氟原子的刻蚀表面，以覆盖刻蚀表面。和一种生产上述光接收元件的方法。
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公开(公告)号：CN1133470A
公开(公告)日：1996-10-16
申请号：CN95119434.8
申请日：1995-12-21
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 桥爪淳一郎
CPC classification number: G03G5/08235
Abstract: 一种光接收部件和包括该部件的静电复印装置，该光接收部件包括：导电基体，含有至少一种非单晶硅型材料能够呈现光导电性的第一层，含有硅原子和从碳原子、氮原子及氧原子构成的原子团中选择的一种的第二层，含有硅原子和从碳原子、氮原子及氧原子构成的原子团中选择的一种的第三层，其导电方式已调整为与充电极性相同的极性，第一、第二和第三层设置在导电基体上，其中上述光接收部件按正向充电使用而且不需要圆筒加热器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1129037C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN98106913.4
申请日：1998-04-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/04
CPC classification number: G03G5/0433 , G03G5/08285 , G03G5/14704
Abstract: 提供了一种光接收部件，该光接收部件包括设置在导电基底上的光电导层以及设置在所述光电导层上的表面层，所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与其中心在2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。该光接收部件使得能够在任何条件下，在不采用用于光接收部件的加热装置的情况下，获得没有模糊图象或不清楚的图象的高质量的图象，并具有足以保持这种高质量特性的高耐久性。
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公开(公告)号：CN1115596C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN96105669.X
申请日：1996-04-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/44 , G03G5/08235 , G03G5/08264 , G03G5/08278
Abstract: 用于生产包括表层的光接收部件的一种工艺，该工艺包括形成包含碳原子、氧原子与氮原子之中至少一种的非单晶材料层，并以含氟原子的气体蚀刻该层，其中形成与蚀刻在一个能够减少其内部压力的反应器中交替地重复进行多次以便在一个衬底上形成表层；以及应用这种光接收部件的电子照相装置和应用这种光接收部件的电子照相方法。
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公开(公告)号：CN1132800A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95120912.4
申请日：1995-12-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/509 , C23C16/5093 , G03G5/08214 , G03G5/08278 , H01J37/32706
Abstract: 提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在20到450兆赫的高频电力，同时把范围在30到300V或-30到-300V的直流电压和/或范围在30到600V的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工(比如薄膜制作)条件允许的范围和装置设计的允许范围。
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公开(公告)号：CN1289971C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03152268.8
申请日：2003-08-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08 , G03G5/08214 , G03G5/08221 , G03G5/08235 , G03G5/14704
Abstract: 本发明提供了一种电摄影感光体的制造方法，是即使在感光体表面存在称为球状凸起203的异常成长部分，也能够不使其在图像上显出，大幅度改善图像缺陷的方法。在含有由非单结晶材料组成的层的电摄影感光体的制造方法中，作为第1步，在具备排气装置和原料气供给装置的能够真空气密的成膜炉内，设置具有导电性表面的基体201，通过高频电功率至少分解原料气，在上述基体上，至少堆积由非单结晶材料组成的第1层202的步骤；作为第2步，将堆积了第1层的基体暴露在大气中的步骤；作为第3步，在上述成膜炉内，通过高频电功率至少分解原料气，在上述第1层上堆积包括由非单结晶材料构成的上部阻滞层205的第2层的步骤。
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公开(公告)号：CN1057349C
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN95120912.4
申请日：1995-12-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/509 , C23C16/5093 , G03G5/08214 , G03G5/08278 , H01J37/32706
Abstract: 提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在20到450兆赫的高频电力，同时把范围在30到300V或-30到-300V的直流电压和/或范围在30到600V的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工(比如薄膜制作)条件允许的范围和装置设计的允许范围。
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