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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1445614A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03103305.9
申请日：1995-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/04
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08235
Abstract: 一种电子成象受光部件，包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层，所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成，并含有原子百分比10到30的氢，从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV－60meV，在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm－3－1×1016cm－3。
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公开(公告)号：CN1122877C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN95105042.7
申请日：1995-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/082
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08235
Abstract: 一种电子成象受光部件，包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层，所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成，并含有原子百分比10到30的氢，从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV，在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。
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公开(公告)号：CN1120684A
公开(公告)日：1996-04-17
申请号：CN95105042.7
申请日：1995-04-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/00
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08235
Abstract: 一种电子成象受光部件，包括一个导电的支承件和一个具有形成在所述支承件上的光电导层的受光层，所述光电导层由主要由硅原子和包括至少一个氢原子和一个卤原子的非单晶材料构成，并含有原子百分比10到30的氢，从至少所述的光电导层的光入射部分处的光吸收频谱得到的指数尾特征能量为50meV-60meV，在光电导层中的局部化状态密度在1×1014cm-3-1×1016cm-3。
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公开(公告)号：CN1122878C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN96111416.9
申请日：1996-08-23
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 新纳博明
IPC: G03G5/082
CPC classification number: G03G5/08228 , G03G5/08214 , G03G5/08221
Abstract: 一种光接收元件，包括一基衬和一光电导层，此光电导层由一主要由硅原子构成并含有氢原子和卤素原子至少一种的非单晶(例如非结晶的)材料形成，其中该光电导层具有互相在光带隙(Eg)和特征能量(Eu)方向的特定范围内有不同值的第一层区域和第二层区域，此特征能量(Eu)由下式表示的函数的线性关系部分或指数曲线尾求得：Inα＝(1/Eu)·hγ+α1式中光子能量hγ被设定为一独立变量，光吸收频谱的吸收系数α被作为相关变量。
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公开(公告)号：CN1167277A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：CN96111416.9
申请日：1996-08-23
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 新纳博明
IPC: G03G15/02
CPC classification number: G03G5/08228 , G03G5/08214 , G03G5/08221
Abstract: 一种光接收元件，包括一基衬和一光电导层，此光电层由一主要由硅原子构成并含有氢原子和卤素原子至少一种的非单晶(例如非结晶的)材料形成，其中该光电导层具有互相在光带隙(Eg)和特征能量(Eu)方向的特定范围内有不同值的第一层区域和第二层区域，此特征能量(Eu)由下式表示的函数的线性关系部分或指数曲线尾求得：Inα＝(1/Eu)·hγ+α1式中光子能量hγ被设定为一独立变量，光吸收频谱的吸收系数α被作为相关变量。
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