公开(公告)号：CN104884667A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068235.8

申请日：2013-11-28

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 岛根由光 ,  内野聪 ,  秋山进 ,  松尾和昭 ,  山口述夫

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347

Abstract: 基板处理设备具有处理腔、用以在处理腔内保持基板的基板保持器、设置在基板保持器的外周部处的第一屏蔽件以及设置在处理腔的内侧的第二屏蔽件。处理腔的内部空间至少由第一屏蔽件、第二屏蔽件以及基板保持器划分为外部空间和用以对基板进行处理的处理空间。基板保持器能够沿着与保持基板的基板保持面相垂直的驱动方向被驱动。在由第一屏蔽件和第二屏蔽件所形成的间隙中，在与驱动方向相垂直的方向上尺寸为最小的最小间隙部分的在与驱动方向相平行的方向上的长度就算是基板保持器沿驱动方向被驱动也不会改变。

公开(公告)号：CN101996919B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010262547.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 岛根由光 ,  山口述夫

IPC: H01L21/68 ,  C23C14/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L21/682 ,  C23C14/042 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3485

Abstract: 本发明提供基板保持设备、掩模定位方法以及真空处理设备，以及能够减少粒子的产生并且以高精度定位掩模的掩模定位机构，其中，真空处理设备包括该掩模定位机构。根据本发明的一个实施方式的掩模定位机构包括：基板保持件，当基板被传送时，该基板保持件能上下移动，并且在该基板保持件上形成有四个锥状销；和掩模，在该掩模中形成有槽。锥状销能够分别被插入槽中。锥状销包括一对长锥状销和一对短锥状销。每一对锥状销都被布置成隔着基板彼此面对。形成于长锥状销的锥状面和形成于短锥状销的锥状面被定位在不同的高度。

公开(公告)号：CN101996919A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010262547.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 岛根由光 ,  山口述夫

IPC: H01L21/68 ,  C23C14/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L21/682 ,  C23C14/042 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3485

Abstract: 本发明提供基板保持设备、掩模定位方法以及真空处理设备，以及能够减少粒子的产生并且以高精度定位掩模的掩模定位机构，其中，真空处理设备包括该掩模定位机构。根据本发明的一个实施方式的掩模定位机构包括：基板保持件，当基板被传送时，该基板保持件能上下移动，并且在该基板保持件上形成有四个锥状销；和掩模，在该掩模中形成有槽。锥状销能够分别被插入槽中。锥状销包括一对长锥状销和一对短锥状销。每一对锥状销都被布置成隔着基板彼此面对。形成于长锥状销的锥状面和形成于短锥状销的锥状面被定位在不同的高度。

公开(公告)号：CN104885245B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380067306.2

申请日：2013-09-04

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 清野拓哉 ,  西村和正 ,  奥山博基 ,  大谷裕一 ,  室冈勇太 ,  岛根由光

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/28061 ,  H01L37/00 ,  H01L41/20 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供一种磁阻效果元件的制造方法，所述磁阻效果元件当在金属氧化物的隧道势垒层的形成期间改进生产量的同时使金属氧化时，能够降低金属的升华。本发明的实施方案为磁阻效果元件的制造方法，其中所述方法包括隧道势垒层的形成步骤。隧道势垒层的形成步骤包括膜形成步骤和氧化步骤。在膜形成步骤中，在基板上形成金属膜，和在氧化步骤中，使金属膜进行氧化处理。在氧化步骤中，将Mg形成的基板保持在其中进行氧化处理的处理容器内的基板保持件上，在Mg不升华的温度下将氧气导入至处理容器内，将氧气供给至基板，并且在氧气导入后加热基板。

公开(公告)号：CN104884667B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380068235.8

申请日：2013-11-28

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 岛根由光 ,  内野聪 ,  秋山进 ,  松尾和昭 ,  山口述夫

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3441 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/347

Abstract: 基板处理设备具有处理腔、用以在处理腔内保持基板的基板保持器、设置在基板保持器的外周部处的第一屏蔽件以及设置在处理腔的内侧的第二屏蔽件。处理腔的内部空间至少由第一屏蔽件、第二屏蔽件以及基板保持器划分为外部空间和用以对基板进行处理的处理空间。基板保持器能够沿着与保持基板的基板保持面相垂直的驱动方向被驱动。在由第一屏蔽件和第二屏蔽件所形成的间隙中，在与驱动方向相垂直的方向上尺寸为最小的最小间隙部分的在与驱动方向相平行的方向上的长度就算是基板保持器沿驱动方向被驱动也不会改变。

公开(公告)号：CN104885245A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067306.2

申请日：2013-09-04

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 清野拓哉 ,  西村和正 ,  奥山博基 ,  大谷裕一 ,  室冈勇太 ,  岛根由光

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/28061 ,  H01L37/00 ,  H01L41/20 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供一种磁阻效果元件的制造方法，所述磁阻效果元件当在金属氧化物的隧道势垒层的形成期间改进生产量的同时使金属氧化时，能够降低金属的升华。本发明的实施方案为磁阻效果元件的制造方法，其中所述方法包括隧道势垒层的形成步骤。隧道势垒层的形成步骤包括膜形成步骤和氧化步骤。在膜形成步骤中，在基板上形成金属膜，和在氧化步骤中，使金属膜进行氧化处理。在氧化步骤中，将Mg形成的基板保持在其中进行氧化处理的处理容器内的基板保持件上，在Mg不升华的温度下将氧气导入至处理容器内，将氧气供给至基板，并且在氧气导入后加热基板。