公开(公告)号：CN114112224B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202111368064.3

申请日：2021-11-18

Applicant: 佛山市国星光电股份有限公司

Inventor： 朱昕 ,  梁丽芳 ,  张丽敏 ,  张国芳 ,  叶俊贤 ,  刘丰

IPC: G01M3/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件气密性的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：将半导体器件置于红外光激发的上转换材料染色溶液中，在真空或高压环境中静置后再恢复常压，利用波长范围为700‑1200nm红外激发光源照射半导体器件，完成半导体器件气密性的检测。本发明所述检测方法能方便无干扰地分辨半导体器件的空洞存在的位置和深度，气密性检测效率高。

公开(公告)号：CN117538792A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311409390.3

申请日：2023-10-26

Applicant: 佛山市国星光电股份有限公司

Inventor： 张丽敏 ,  朱昕 ,  陈金华 ,  张国芳 ,  叶俊贤 ,  张超 ,  麦文杰

IPC: G01R31/44 ,  G01R1/04 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明涉及一种LED老化测试装置。本发明的LED老化测试装置，包括包括散热器、基板、电极和稳压二极管，所述散热器上设有多个LED安装位，每个所述LED安装位对应设置一个稳压二极管和至少一组电极，所述基板固定在所述散热器上，所述电极分别与所述基板和稳压二级管电性连接，所述电极还用于电性连接待测LED器件。本发明的稳压二极管与待测试的LED器件并联连接，组成稳压电路。当单个LED器件出现死灯现象时，与之并联的稳压二极管被击穿，老化电路仍处于导通状态，从而不会影响其他LED器件的老化测试，能够提高老化测试的效率。

公开(公告)号：CN114112224A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111368064.3

申请日：2021-11-18

Applicant: 佛山市国星光电股份有限公司

Inventor： 朱昕 ,  梁丽芳 ,  张丽敏 ,  张国芳 ,  叶俊贤 ,  刘丰

IPC: G01M3/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件气密性的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：将半导体器件置于红外光激发的上转换材料染色溶液中，在真空或高压环境中静置后再恢复常压，利用波长范围为700‑1200nm红外激发光源照射半导体器件，完成半导体器件气密性的检测。本发明所述检测方法能方便无干扰地分辨半导体器件的空洞存在的位置和深度，气密性检测效率高。

公开(公告)号：CN222851445U

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202421281120.9

申请日：2024-06-05

Applicant: 佛山市国星光电股份有限公司

Inventor： 赵龙 ,  张莉 ,  张丽敏 ,  陈梓敬 ,  朱丽娜 ,  黄敏

IPC: H01L25/075 ,  H10H20/857 ,  H10H29/24 ,  H10H29/85

Abstract: 本实用新型公开了一种发光模组，所述发光模组包括：基板和设置在所述基板上的芯片阵列，所述芯片阵列包括芯片主体结构，所述芯片主体结构内形成有若干个P电极、若干个N电极和若干个过渡电极；所述若干个P电极形成P电极阵列，所述若干个N电极设置在所述P电极阵列的至少一侧的侧边上，所述若干个过渡电极设置在所述P电极阵列和所述若干个N电极之间，所述若干个过渡电极形成过渡列。通过在芯片阵列的P电极阵列和若干个N电极之间设置过渡列，使得P电极和N电极之间具有足够的绝缘距离，降低N电极和P电极之间出现短路的风险，同时使得发光模组内各个电极之间间距均匀，确保封装胶水的流动性以及封装效果。