公开(公告)号：CN102197168A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980143257.X

申请日：2009-08-28

Applicant: 住友金属工业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  服部亮

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 一种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。

公开(公告)号：CN102203330A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143619.5

申请日：2009-08-28

Applicant: 住友金属工业株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  八内昭博 ,  下崎新二

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36

Abstract: 一种方法，其可以通过使用以Si合金的熔体为溶剂的SiC溶液的液相生长技术来稳定地制造适于各种器件使用的、载流子密度为5×1017/cm3以下、优选为小于1×1017/cm3的低载流子密度的SiC单晶薄膜或块状晶体，该方法使用具有如下组成的合金作为Si合金：以SixCryTiz表示，且x、y和z(分别为原子％)满足(1)0.50＜x＜0.68、0.08＜y＜0.35以及0.08＜z＜0.35、或(2)0.40＜x≤0.50、0.15＜y＜0.40以及0.15＜z＜0.35。x、y和z优选满足0.53＜x＜0.65、0.1＜y＜0.3以及0.1＜z＜0.3。

公开(公告)号：CN102597337A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048942.7

申请日：2010-08-27

Applicant: 住友金属工业株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  小池淳一

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及能够生长晶片来源的缺陷得以抑制的优质外延膜的SiC单晶晶片，该SiC单晶晶片的表面变质层的厚度为50nm以下，SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。该SiC单晶晶片可由高纯度SiC块状单晶制作，该高纯度SiC块状单晶通过使用氧含量100ppm以下的原料和氧浓度100ppm以下的非氧化性气氛的熔液生长法获得。