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公开(公告)号：CN103959580B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280051908.4
申请日：2012-06-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号：CN103959580A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280051908.4
申请日：2012-06-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号：CN104160521A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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公开(公告)号：CN103975491A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060441.X
申请日：2012-12-07
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/2206 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/176
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：由六方晶系III族氮化物半导体形成的具有半极性面的半导体基板；外延层(2)，形成在半导体基板的半极性面上并包括发光层，外延层具有脊部(18)；第一电极(14)，形成在脊部之上；绝缘层(12)，覆盖脊部的周围(18a)和脊部的侧面(18b)的外延层同时从外延层侧连续覆盖第一电极的侧面的至少一部分；焊盘电极(13)，被形成为覆盖在第一电极和绝缘层之上，并且该焊盘电极电连接到第一电极；以及第二电极(15)，形成在半导体基板的、与形成外延层的表面相对的表面上。
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公开(公告)号：CN104160521B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409231A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810179947.8
申请日：2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L2224/48465
Abstract: 在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1－100)面上生长具有(11－22)或(10－13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。
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公开(公告)号：CN1992359A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610064047.X
申请日：2006-09-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的衬底并且在形成三角形截面的状态下在衬底的每个凹入部上生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，突起部由与衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1992359B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200610064047.X
申请日：2006-09-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，突起部由与异质衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN101807522B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010125298.0
申请日：2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L2224/48465
Abstract: 本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。
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公开(公告)号：CN101409231B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810179947.8
申请日：2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L2224/48465
Abstract: 在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长具有(11-22)或(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。
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