公开(公告)号：CN104916751A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510102739.8

申请日：2015-03-09

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫 ,  松浦尚 ,  滨口达史 ,  古岛裕司

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/737 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01L33/16 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法，氮化物半导体元件具有能够改善p型氮化物半导体区域与电极的物理性的接触的特性的结构。在电极与第一p型III族氮化物半导体层的接触的金属-半导体界面上形成界面势垒。以使第二p型III族氮化物半导体层内含应变的方式在第一p型III族氮化物半导体层与第三p型III族氮化物半导体层之间夹持第二p型III族氮化物半导体层。第二p型III族氮化物半导体层的应变使p型III族氮化物半导体叠层的能带结构变化。在基底的主面以50度以上且小于80度的范围的角度倾斜时，该能带结构的变化以在金属-半导体界面处降低界面势垒产生的势垒高度的方式发挥作用。