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公开(公告)号：CN104576869B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201410578598.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm‑3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。
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公开(公告)号：CN104576869A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410578598.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm-3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。
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公开(公告)号：CN109881177B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201811486114.6
申请日：2018-12-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 住吉和英
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明披露了一种用于氮化物半导体材料的低压化学气相沉积(LPCVD)技术的顺序。所述顺序包括如下步骤：将炉内温度设定为750℃至900℃；将炉内气氛置换为氨气(NH3)；在初始压力下，通过供给二氯硅烷(SiH2Cl2)从而沉积SiN膜；随后在高于初始压力的沉积压力下沉积SiN膜。本发明的顺序的特征为：初始压力高于沉积压力的至少60％。
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公开(公告)号：CN112614783A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011038645.6
申请日：2020-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/335 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管。所述制造高电子迁移率晶体管的方法包括以下步骤：以700℃或以上且900℃或以下的第一炉温度，通过低压化学气相沉积法，在由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层的表面上形成第一SiN膜；以700℃或以上且900℃或以下的第二炉温度且炉压力为1Pa或以下，通过炉中的水分和氧气，在第一SiN膜上形成界面氧化层；以700℃或以上且900℃或以下的第三炉温度，通过低压化学气相沉积法，在界面氧化层上形成第二SiN膜。
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公开(公告)号：CN109585267B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201811131218.5
申请日：2018-09-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 住吉和英
Abstract: 披露了一种在氮化物半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)将包括氮化物半导体层的外延衬底装入处于第一温度的反应炉内，并将炉内的气氛转换为氮气(N2)；(b)将炉内的压力保持为高于30kPa，并将炉内的温度升至第二温度；(c)在第二温度下，将炉内气氛转换为氨气(NH3)；(d)在低于100Pa的第二压力下，通过供给SiH2Cl2作为硅(Si)的源气体从而开始进行沉积。本发明的特征为从炉内温度达到临界温度到供给SiH2Cl2的时间长度小于20分钟，其中第一压力在所述临界温度下达到平衡压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447536A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010911205.0
申请日：2020-09-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/335 , H01L23/31 , H01L29/778 , C23C16/44 , C23C16/34
Abstract: 本申请发明涉及形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件。在氮化物半导体层上形成氮化硅钝化膜的方法包含以下步骤：将包含氮化物半导体层的衬底引入反应炉中，将所述反应炉内的气氛从空气置换为氨气(NH3)气氛或氢气(H2)气氛，将所述反应炉内的温度升高至第一温度，将所述反应炉内的温度保持在所述第一温度并且将所述反应炉内的气氛保持为NH3气氛或H2气氛三分钟以上，将所述反应炉内的温度降低至低于所述第一温度的第二温度，以及通过在所述反应炉中在100Pa以下的第一压力下向所述反应炉中供给二氯硅烷(SiH2Cl2)而形成所述氮化硅钝化膜。
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公开(公告)号：CN109881177A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811486114.6
申请日：2018-12-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 住吉和英
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明披露了一种用于氮化物半导体材料的低压化学气相沉积(LPCVD)技术的顺序。所述顺序包括如下步骤：将炉内温度设定为750℃至900℃；将炉内气氛置换为氨气(NH3)；在初始压力下，通过供给二氯硅烷(SiH2Cl2)从而沉积SiN膜；随后在高于初始压力的沉积压力下沉积SiN膜。本发明的顺序的特征为：初始压力高于沉积压力的至少60％。
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公开(公告)号：CN102187433A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141759.9
申请日：2009-10-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/20 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/32 , H01L29/41741 , H01L29/4238 , H01L29/475 , H01L29/66712 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 提供具有能减少漏电流的结构的III族氮化物半导体电子器件。层叠体(11)包括衬底(13)及III族氮化物半导体外延膜(15)。衬底(13)由具有超过1×1018cm-3的载流子浓度的III族氮化物半导体构成。外延结构物(15)包括III族氮化物半导体外延膜(17)。衬底(13)的第一面(13a)相对于向c轴方向延伸的轴(Cx)以大于5度的角度θ倾斜。法线矢量VN以及c轴矢量VC形成角度θ。III族氮化物半导体外延膜(17)包括依次配置在第一面(13a)的法线方向上的第一、第二及第三区域(17a、17b、17c)。第三区域(17c)的位错密度小于第一区域(17a)的位错密度。第二区域(17b)的位错密度小于衬底(13)的位错密度。
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公开(公告)号：CN108695139A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810282155.7
申请日：2018-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 住吉和英
IPC: H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种在氮化物半导体层上形成作为钝化膜的氮化硅膜的方法。该方法首先设定低于500℃的温度以装入其上具有氮化物半导体层的晶圆。然后，当置换气氛至纯氨气(NH3)或NH3分压大于0.2的NH3和N2的混合气并且设定高于3kPa的压力时，该方法将温度升高至高于750℃的沉积温度。最后，将气氛减压至低于100Pa并供给二氯硅烷(SiH2Cl2)，从而将SiN沉积在氮化物半导体层上。本发明还公开了一种形成氮化物半导体器件的方法。本发明的方法在氮化物半导体材料上沉积SiN膜的同时，氮化物半导体材料的表面基本不会分解。
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公开(公告)号：CN102668281B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201080059063.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
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