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公开(公告)号：CN110023530B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680091204.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 敏斯材料公司
Inventor： 内海庆春 , 佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 , 津田圭一 , 康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 , 桑卡拉·皮莱 , 丹尼尔·冈纳·马根法尔特
IPC: C23C14/06
Abstract: 根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至10原子层(包括端点)。
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公开(公告)号：CN107849683B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201680041492.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 敏斯材料公司
Inventor： 内海庆春 , 佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 , 津田圭一 , 康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 , 丹尼尔·冈纳·马根法尔特
IPC: C23C14/06
Abstract: 位于基材表面上的被膜中的至少一个层是由组成不同的至少两个晶畴形成的晶畴结构层。当将存在于晶畴结构层中的多个第一晶畴中的每一个的尺寸定义为与第一晶畴接触的各个虚拟外接圆的直径，并且将各个第一晶畴的最近邻距离定义为连接一个外接圆的中心和与另一相邻的外接圆的中心的直线距离中的最短距离时，第一晶畴的平均尺寸为1nm以上10nm以下，并且第一晶畴的平均最近邻距离为1nm以上12nm以下。95％以上的第一晶畴的尺寸在平均尺寸的±25％的范围内。95％以上的第一晶畴的最近邻距离在平均最近邻距离的±25％的范围内。
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公开(公告)号：CN110023530A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201680091204.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 敏斯材料公司
Inventor： 内海庆春 , 佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 , 津田圭一 , 康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 , 桑卡拉·皮莱 , 丹尼尔·冈纳·马根法尔特
IPC: C23C14/06
Abstract: 根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至10原子层(包括端点)。
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公开(公告)号：CN107849683A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041492.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 敏斯材料公司
Inventor： 内海庆春 , 佩尔·克里斯多夫·阿伦斯古格 , 津田圭一 , 康斯坦提诺斯·萨拉基诺斯 , 丹尼尔·冈纳·马根法尔特
IPC: C23C14/06
CPC classification number: C23C14/0617 , C23C14/0036 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/0641 , C23C14/345 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/505 , C23C14/541 , C23C14/545 , C23C14/548 , C23C28/044 , C23C28/048 , C23C28/44 , C23C30/005 , H01J37/3467
Abstract: 位于基材表面上的被膜中的至少一个层是由组成不同的至少两个晶畴形成的晶畴结构层。当将存在于晶畴结构层中的多个第一晶畴中的每一个的尺寸定义为与第一晶畴接触的各个虚拟外接圆的直径，并且将各个第一晶畴的最近邻距离定义为连接一个外接圆的中心和与另一相邻的外接圆的中心的直线距离中的最短距离时，第一晶畴的平均尺寸为1nm以上10nm以下，并且第一晶畴的平均最近邻距离为1nm以上12nm以下。95％以上的第一晶畴的尺寸在平均尺寸的±25％的范围内。95％以上的第一晶畴的最近邻距离在平均最近邻距离的±25％的范围内。
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公开(公告)号：CN115038539A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080094637.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供特别是即使在用于切削软金属时也能够具有长的工具寿命的切削工具。该切削工具具备：基材和配置在所述基材上的硬质碳膜，所述硬质碳膜包含非晶质相和石墨相，所述硬质碳膜的密度为2.5g/cm3以上3.5g/cm3以下，所述硬质碳膜的结晶度为6.5％以下，所述非晶质相的平均配位数为2.5以上4以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106470790A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580037464.2
申请日：2015-06-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23K20/12
CPC classification number: B23K20/12 , B23K20/1255
Abstract: 一种摩擦点焊工具(1)，用于通过叠置第一部件和第二部件并且从第一部件侧施加压力来对第一部件和第二部件进行摩擦点焊。第一部件和第二部件是具有270至370MPa或更大的抗拉强度的钢板。摩擦点焊工具(1)能够围绕旋转轴线有肩部(5)；以及圆柱形或截锥形搅拌头(3)，其沿旋转轴线(4)的延伸方向从肩部(5)突出。当t(mm)为第二部件的厚度，并且第二部件插入体积V(mm3)为在从第一部件侧按压摩擦点焊工具(1)时搅拌头(3)插入第二部件中的体积时，V与t之间的关系满足公式(1)。V≥1.73t2+5.12t-3.56(t≥0.5mm)····(1)。(4)旋转并且配备有：柱状部(2)，其在末端处具
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公开(公告)号：CN102655977A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080057562.X
申请日：2010-12-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23K20/12 , C23C14/06 , C23C14/08 , B23K103/04
CPC classification number: B23K20/1245 , B23K20/1255 , B23K2101/20 , B23K2103/04 , B23K2103/10 , B23K2103/12 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C30/00 , C23C30/005
Abstract: 本发明提供了一种摩擦搅拌焊接用工具（1），其能够促进被接合材料在接合过程中的温度的升高，从而实现短时间内的摩擦搅拌焊接，并且其被覆层（3）具有优异的绝热性能、耐氧化性和耐磨性。具体而言，本发明公开了一种摩擦搅拌焊接用工具（1），其包括基材（2）和形成于所述基材（2）上的被覆层（3），其中所述被覆层（3）由一层或多层形成，并且所述被覆层（3）中的至少一层的透热率小于或等于5000J/s0.5·m2·K。
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公开(公告)号：CN115003439B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080094683.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种切削工具，具备：基材和配置在所述基材上的硬质碳膜，所述硬质碳膜包含非晶质相和石墨相，所述硬质碳膜的结晶度为6.5％以下，所述石墨相的定向性为6以下。
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公开(公告)号：CN115038539B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202080094637.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供特别是即使在用于切削软金属时也能够具有长的工具寿命的切削工具。该切削工具具备：基材和配置在所述基材上的硬质碳膜，所述硬质碳膜包含非晶质相和石墨相，所述硬质碳膜的密度为2.5g/cm3以上3.5g/cm3以下，所述硬质碳膜的结晶度为6.5％以下，所述非晶质相的平均配位数为2.5以上4以下。
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公开(公告)号：CN103619526B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380001685.5
申请日：2013-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B23K20/1255 , B05D3/002 , B05D3/14 , B23H5/02 , C23C30/00 , C23C30/005
Abstract: 本发明提供了用于摩擦搅拌焊接的摩擦搅拌焊接工具（1），其特征在于包括：基材（2）；和覆层（3），该覆层（3）至少形成于基材（2）的在摩擦搅拌焊接过程中将与待接合材料接触的区域的表面上。所述摩擦搅拌焊接工具（1）的特征还在于：所述基材（2）由硬质合金形成；并且所述覆层（3）含有立方WC1-x，并通过电火花加工形成。
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