公开(公告)号：CN104321867B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380026637.1

申请日：2013-05-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 道越久人 ,  平方宣行 ,  野津浩史

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体器件，包括：至少一个半导体芯片、连接至该至少一个半导体芯片的栅极布线、连接至该至少一个半导体芯片的第一布线以及连接至该至少一个半导体芯片的第二布线。第一和第二布线沿栅极布线延伸。第一布线布置在栅极布线和第二布线之间。第一布线是最接近栅极布线的布线。栅极布线的与第一布线相对的第一部分短于栅极布线的与第二布线相对的第二部分。

公开(公告)号：CN104685616A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380050803.1

申请日：2013-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 野津浩史

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01015 ,  H01L23/31

Abstract: 提供一种能够改善其可靠性的半导体器件及制造该半导体器件的方法。根据一个实施例的半导体器件(10)包括半导体元件(12)、基板(20)、壳(40)以及密封剂注入路径(50)。半导体元件(12)安装至基板(20)。壳(40)容纳基板(20)并允许密封剂注入其中，用于将半导体元件(12)密封于内部。密封剂注入路径(50)形成在壳(40)中并且用于将密封剂注入壳(40)中。在密封剂注入路径(50)中，用于密封剂的壳(40)中的注入端口位于壳(40)内的密封剂的注入区(44)的基板(20)侧。

公开(公告)号：CN104321867A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380026637.1

申请日：2013-05-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 道越久人 ,  平方宣行 ,  野津浩史

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体器件，包括：至少一个半导体芯片、连接至该至少一个半导体芯片的栅极布线、连接至该至少一个半导体芯片的第一布线以及连接至该至少一个半导体芯片的第二布线。第一和第二布线沿栅极布线延伸。第一布线布置在栅极布线和第二布线之间。第一布线是最接近栅极布线的布线。栅极布线的与第一布线相对的第一部分短于栅极布线的与第二布线相对的第二部分。