生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法

    公开(公告)号:CN102239283A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN200980148584.4

    申请日:2009-11-26

    Inventor: 竹山知阳

    Abstract: 在一个方面中的生长GaN晶体的方法中,实施下列步骤。准备底部衬底(步骤S1)。然后,在所述底部衬底上形成具有开口部分并由SiO2构成的掩模层(步骤S2)。然后,在底部衬底和掩模层上生长GaN晶体(步骤S5)。所述掩模层具有不大于2nm的表面粗糙度Rms或不小于8m的曲率半径。在一个方面中的生长GaN晶体的方法中,实施下列步骤。准备底部衬底(步骤S 1)。然后,使用抗蚀剂,在所述底部衬底上形成具有开口部分的掩模层(步骤S2)。然后,利用酸溶液对所述底部衬底和所述掩模层进行清洁(步骤S3)。然后,在利用酸溶液进行清洁的步骤S3之后,利用有机溶剂对所述底部衬底和所述掩模层进行清洁(步骤S4)。然后,在所述底部衬底和所述掩模层上生长GaN晶体(步骤S5)。

Patent Agency Ranking