公开(公告)号：CN1782142B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200510125396.3

申请日：2005-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  吉本晋 ,  松叶聪

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。

公开(公告)号：CN1782142A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510125396.3

申请日：2005-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  吉本晋 ,  松叶聪

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。