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公开(公告)号：CN113726295A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110539014.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 川崎健
Abstract: 功率放大电路为多赫蒂型。峰值放大器具有第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有第一源极端子、第一漏极端子及第一控制端子。第二晶体管具有第二源极端子、第二漏极端子及第二控制端子。第一源极端子与第一恒定电位线连接。第一漏极端子及第二源极端子与第一节点连接。第二漏极端子与电位比第一恒定电位线高的第二恒定电位线连接。第一控制端子与第一偏压施加电路连接，输入信号经由第一交流耦合电路向第一控制端子输入。第二控制端子与第二偏压施加电路连接，经由第二交流耦合电路与第一节点连接。第一节点经由第三交流耦合电路与第一恒定电位线连接。
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公开(公告)号：CN117952046A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311289522.3
申请日：2023-10-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 川崎健
IPC: G06F30/3323
Abstract: 本公开涉及计算方法和计算装置。提供一种能提高模型的精度的计算方法。计算方法是提取高频元件的参数的计算方法，该高频元件具有供高频信号输入的第一端子、输出高频信号的第二端子以及被供给基准电位的第三端子，该计算方法使计算机执行以下步骤：获取与N个组分别对应的N个矩阵，其中，N为2以上的整数，各矩阵是包括第一端子和第二端子的电网路的矩阵，各组是施加于第一端子的第一电压和施加于第二端子的第二电压的组；以及使用本征电路的第一模型和分布常数电路的第二模型并基于N个矩阵来提取L个参数的值，其中，第一模型由第一电压和第二电压中的至少一个电压的函数表示，第二模型由L个参数的值表示。
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公开(公告)号：CN117849469A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311086408.0
申请日：2023-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 川崎健
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明涉及电磁场分析方法、电磁场分析装置以及存储介质。提供能高效地进行共面波导的电磁场分析的电磁场分析方法。电磁场分析方法包括如下步骤：在具备电介质层和导电体图案的共面波导中，以在第一区域内生成第一网格、在所述第一区域以外的第二区域内不生成网格或生成尺寸比所述第一网格大的第二网格的方式来生成网格，所述导电体图案具有信号线路和夹着所述信号线路并与所述信号线路分离地设置的基准电位图案，且所述导电体图案设于所述电介质层上，所述第一区域包括所述信号线路和所述基准电位图案的一部分，且所述第一区域是与所述信号线路延伸的方向正交的方向上的固定宽度的区域；以及使用所述网格来对所述共面波导进行电磁场分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112769404A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911065213.1
申请日：2019-11-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 川崎健
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种放大器。放大器(1)为具有三个FET(Tr1～Tr3)的多级放大器，在FET(Tr2)中，漏极与FET(Tr3)的栅极以交流的方式连接，源极以直流的方式接地，在FET(Tr1)中，漏极与FET(Tr2)的栅极以交流的方式连接，源极以直流的方式接地，栅极接收高频信号，在FET(Tr3)中，漏极接收偏置电流并输出放大信号，源极以交流的方式接地，FET(Tr1、Tr2)各自的漏极经由在将高频信号的波长设为λ时具有λ/4的长度的电气长度的传输线路(Z2、Z3)而与FET(Tr3)的源极以直流的方式连接，FET(Tr3)的尺寸大于FET(Tr1、Tr2)的尺寸。
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公开(公告)号：CN118551712A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410014010.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 川崎健
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明提供能容易地设计电抗电路的计算方法、计算装置以及计算机可读存储介质。计算方法包括以下步骤：获取用于使计算机计算具有供高频信号输入或输出的N个端口Pi的电抗电路的第一矩阵的条件，其中，i是1至N的整数，N是2以上的整数；以及使计算机基于所述条件来计算包括元素由Γij＝|Γij|×exp(θij)来表示的导纳矩阵或阻抗矩阵的所述第一矩阵，其中，j是1至N的整数，θij是－π/2或+π/2。
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公开(公告)号：CN116626400A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310026837.2
申请日：2023-01-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 本发明的图案生成装置、图案生成方法以及记录介质高效地生成图案。图案生成装置具备处理器，该处理器执行基于生成条件来生成与设于电介质层的表面的金属层的图案对应的图案数据的处理；判定所生成的所述图案数据是否满足规定条件；在判定为不满足所述规定条件时，返回至生成所述图案数据的处理；在判定为满足所述规定条件时，基于所述图案数据来进行电磁场分析，由此计算向所述图案的第一部位输入高频信号、从所述图案的第二部位输出高频信号时的所述图案或具有所述图案的元件或者电路的特性；判定计算出的所述特性是否在目标范围内；在判定为所述计算出的特性不在目标范围内时，变更所述生成条件；在变更所述生成条件后，返回至生成所述图案数据的处理。
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公开(公告)号：CN114978055A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210137265.0
申请日：2022-02-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 川崎健
Abstract: 在具备放大器和预失真器的半导体装置中，能在较高的工作频率下获得良好的增益扩展效果。半导体装置具备输入端子、预失真器、放大器以及输出端子，所述预失真器的输入部连接于所述输入端子，所述预失真器的输出部连接于所述放大器的输入部，所述预失真器具备第一晶体管。
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公开(公告)号：CN106328597A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610506982.0
申请日：2016-06-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种可在高频下操作的电子设备，具体公开了包括安装在组件基底上的半导体器件的电子设备。该半导体器件包括：传输线，其阻抗匹配特征阻抗；以及焊盘，其连接到传输线，高频信号通过所述传输线被供应到所述半导体器件或者通过所述传输线从所述半导体器件取出。所述焊盘伴随与所述传输线同时形成的短截线并且在所述半导体器件内接地。所述短截线像可补偿焊盘引起的寄生电容的短的短截一样地操作。
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