公开(公告)号：CN115003866A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010974.6

申请日：2021-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  西口太郎 ,  樱田隆

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底和碳化硅外延层。碳化硅外延层位于碳化硅衬底上。碳化硅外延层包括与碳化硅衬底接触的边界面和与边界面相对的主面。主面具有外周缘、与外周缘相距5mm以内的外周区域以及被外周区域包围的中央区域。在将外周区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第一面密度、将中央区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第二面密度的情况下，第一面密度为第二面密度的5倍以上。第二面密度为0.2个cm‑2以上。外周区域中的单肖克莱型堆垛层错的面密度为0.5个cm‑2以下。

公开(公告)号：CN107924823B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201680049960.4

申请日：2016-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  土井秀之 ,  伊东洋典

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10‑4)。所述第二坐标为(0.05，4.5×10‑3)。所述第三坐标为(0.22，1.2×10‑2)。所述第四坐标为(0.22，1.3×10‑1)。在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm‑3以上且2×1016cm‑3以下。

公开(公告)号：CN110747507B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910916681.9

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  畑山智亮 ,  土井秀之

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32

Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。

公开(公告)号：CN108463871A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680078363.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  西口太郎 ,  平塚健二

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 根据本公开的碳化硅外延衬底包括：具有第一主表面的碳化硅单晶衬底；在碳化硅单晶衬底上的第一碳化硅层，第一碳化硅层具有第一浓度的载流子；以及在第一碳化硅层上的第二碳化硅层，第二碳化硅层具有小于第一浓度的第二浓度的载流子，第二碳化硅层包括与第一主表面相反的第二主表面。在载流子沿第一碳化硅层和第二碳化硅层层叠的层叠方向上的浓度分布中，载流子浓度在第一浓度和第二浓度之间改变的过渡区具有小于或等于1μm的宽度。第二浓度的标准差与第二浓度的平均值的比率小于或等于5％，该比率定义为在距第二主表面的中心60mm内的中心区中的第二浓度的均匀性。中心区具有小于或等于0.5nm的算术平均粗糙度。

公开(公告)号：CN112470255B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201980048360.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 神原健司 ,  伊东洋典 ,  堀勉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅外延衬底，具备：碳化硅衬底及碳化硅外延膜，在利用面积为Acm2的多个第一正方形区域划分中心区域时，多个第一正方形区域具有存在宏观缺陷的第一区域和不存在宏观缺陷的第二区域，在利用面积为Bcm2的多个第二正方形区域划分中心区域时，多个第二正方形区域具有存在宏观缺陷的第三区域和不存在宏观缺陷的第四区域，在将第二区域的数量除以第一区域的数量与第二区域的数量的合计数量所得的值设为第一无缺陷区域率，将第四区域的数量除以第三区域的数量与第四区域的数量的合计数量所得的值设为第二无缺陷区域率，并将宏观缺陷的数量除以中心区域的面积所得的值设为Xcm‑2时，A小于B，B为4以下，X大于0且小于4，并满足数学式1，#imgabs0#

公开(公告)号：CN108028185B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201680052727.1

申请日：2016-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  伊东洋典 ,  寺尾岳见 ,  神原健司 ,  西口太郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种碳化硅外延基板，所述碳化硅外延基板包含碳化硅单晶基板和碳化硅层。所述碳化硅单晶基板具有第一主表面。所述碳化硅层在所述第一主表面上。所述碳化硅层包含在其与所述碳化硅单晶基板接触的表面的相反侧的第二主表面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直径。所述第二主表面包括从所述第二主表面的外缘起算3mm以内的外周区域和由所述外周区域包围的中心区域。所述中心区域具有75ppm以下的雾度。

公开(公告)号：CN108028185A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052727.1

申请日：2016-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  伊东洋典 ,  寺尾岳见 ,  神原健司 ,  西口太郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种碳化硅外延基板，所述碳化硅外延基板包含碳化硅单晶基板和碳化硅层。所述碳化硅单晶基板具有第一主表面。所述碳化硅层在所述第一主表面上。所述碳化硅层包含在其与所述碳化硅单晶基板接触的表面的相反侧的第二主表面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直径。所述第二主表面包括从所述第二主表面的外缘起算3mm以内的外周区域和由所述外周区域包围的中心区域。所述中心区域具有75ppm以下的雾度。

公开(公告)号：CN107924823A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049960.4

申请日：2016-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  土井秀之 ,  伊东洋典

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2053 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78

Abstract: 在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10-4)。所述第二坐标为(0.05，4.5×10-3)。所述第三坐标为(0.22，1.2×10-2)。所述第四坐标为(0.22，1.3×10-1)。在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm-3以上且2×1016cm-3以下。

公开(公告)号：CN106715767A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580053722.6

申请日：2015-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  和田圭司 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  土井秀之 ,  平塚健二

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/34

Abstract: 碳化硅外延基板(100)包含：碳化硅单晶基板(10)；和在碳化硅单晶基板(10)上的外延层(20)。碳化硅单晶基板(10)具有100mm以上的直径。外延层(20)具有10μm以上的厚度。外延层(20)具有1×1014cm‑3以上且1×1016cm‑3以下的载流子浓度。外延层(20)的面内的载流子浓度的标准偏差对所述面内的载流子浓度的平均值的比率为10％以下。外延层(20)具有主表面(21)。主表面(21)在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa。在主表面(21)中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm‑2以下。凹坑(2)各自具有自主表面(21)起算8nm以上的最大深度。

公开(公告)号：CN115003866B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202180010974.6

申请日：2021-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  西口太郎 ,  樱田隆

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底和碳化硅外延层。碳化硅外延层位于碳化硅衬底上。碳化硅外延层包括与碳化硅衬底接触的边界面和与边界面相对的主面。主面具有外周缘、与外周缘相距5mm以内的外周区域以及被外周区域包围的中央区域。在将外周区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第一面密度、将中央区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第二面密度的情况下，第一面密度为第二面密度的5倍以上。第二面密度为0.2个cm‑2以上。外周区域中的单肖克莱型堆垛层错的面密度为0.5个cm‑2以下。