公开(公告)号：CN102171827A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139350.3

申请日：2009-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 原田真 ,  玉祖秀人 ,  畑山智亮

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8613

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体器件，其能够降低欧姆电极的接触电阻并实现高击穿电压特性。该半导体器件(1)包括衬底(2)和作为杂质层的p+区(25)。第一导电类型(n型)的衬底(2)由碳化硅制成并具有5×103cm-2或更小的位错密度。该p+区(25)被形成在衬底(2)上，其中具有与第一导电类型不同的第二导电类型的导电性杂质的浓度为1×1020cm-3或更大且5×1021cm-3或更小。

公开(公告)号：CN114600250A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074984.1

申请日：2020-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 畑山智亮 ,  增田健良 ,  原田信介

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 碳化硅半导体装置具有碳化硅基板、第一电极及第二电极。碳化硅基板具有第一主面、第二主面、第一杂质区域、第二杂质区域及第三杂质区域。第一电极在第一主面处与第二杂质区域及第三杂质区域的各自相接。第二电极在第二主面处与第一杂质区域相接。第二杂质区域包含第一区域和处于第一区域与第二主面之间且与第一区域相接的第二区域。第一区域的杂质浓度为6×1016cm‑3以上。

公开(公告)号：CN110747507B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910916681.9

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  畑山智亮 ,  土井秀之

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32

Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。

公开(公告)号：CN103890952B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201280051725.2

申请日：2012-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅层（50）包括具有第一导电类型的第一区（51）、提供在第一区上并具有第二导电类型的第二区（52），以及设置在第二区（52）上并具有第一导电类型的第三区（53）。具有内表面的沟槽TR）形成在碳化硅层（50）中。沟槽（TR）穿过第二和第三区（52，53）。沟槽（TR）的内表面具有第一侧壁（SW1）以及位置比第一侧壁（SW1）更深并具有包括第二区（52）的部分的第二侧壁（SW2）。第一侧壁（SW1）的斜率小于第二侧壁（SW2）的斜率。

公开(公告)号：CN103988310A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061374.3

申请日：2012-11-27

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 在制造碳化硅半导体器件的方法中，通过向碳化硅层供应工艺气体同时加热所述碳化硅层来执行相对于碳化硅层的热蚀刻，所述工艺气体与碳化硅进行化学反应。通过热蚀刻在碳化硅层上形成碳膜(50)。碳化硅层被热处理，使得碳从碳膜(50)扩散进碳化硅层。

公开(公告)号：CN106574397B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201580041319.1

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  畑山智亮 ,  土井秀之

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。

公开(公告)号：CN103988310B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280061374.3

申请日：2012-11-27

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 在制造碳化硅半导体器件的方法中，通过向碳化硅层供应工艺气体同时加热所述碳化硅层来执行相对于碳化硅层的热蚀刻，所述工艺气体与碳化硅进行化学反应。通过热蚀刻在碳化硅层上形成碳膜(50)。碳化硅层被热处理，使得碳从碳膜(50)扩散进碳化硅层。

公开(公告)号：CN106574397A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580041319.1

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  畑山智亮 ,  土井秀之

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。

公开(公告)号：CN110747507A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910916681.9

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  畑山智亮 ,  土井秀之

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  H01L21/02

Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。

公开(公告)号：CN103890952A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051725.2

申请日：2012-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅层（50）包括具有第一导电类型的第一区（51）、提供在第一区上并具有第二导电类型的第二区（52），以及设置在第二区（52）上并具有第一导电类型的第三区（53）。具有内表面的沟槽（TR）形成在碳化硅层（50）中。沟槽（TR）穿过第二和第三区（52，53）。沟槽（TR）的内表面具有第一侧壁（SW1）以及位置比第一侧壁（SW1）更深并具有包括第二区（52）的部分的第二侧壁（SW2）。第一侧壁（SW1）的斜率小于第二侧壁（SW2）的斜率。