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公开(公告)号：CN103649220B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280034811.2
申请日：2012-07-16
Applicant: 住友电木株式会社 , 普罗米鲁斯有限责任公司
IPC: C08L65/00
CPC classification number: G03F7/0233 , C08F32/08 , C08F222/06 , C08F232/08 , C09D135/00 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/0384
Abstract: 公开了可用于形成可自成像薄膜的共聚物和包括这种共聚物的组合物。这些共聚物包括降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元，其中这种和马来酸酐-型重复单元中的至少一些被开环。由这些共聚物组合物形成的薄膜提供可自成像的低-k、热稳定层以供在微电子和光电器件中使用。
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公开(公告)号：CN103649220A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034811.2
申请日：2012-07-16
Applicant: 住友电木株式会社 , 普罗米鲁斯有限责任公司
IPC: C08L65/00
CPC classification number: G03F7/0233 , C08F32/08 , C08F222/06 , C08F232/08 , C09D135/00 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/0384
Abstract: 本发明公开了可用于形成可自成像薄膜的共聚物和包括这种共聚物的组合物。这些共聚物包括降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元，其中这种和马来酸酐-型重复单元中的至少一些被开环。由这些共聚物组合物形成的薄膜提供可自成像的低-k、热稳定层以供在微电子和光电器件中使用。
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公开(公告)号：CN102892746A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024123.3
申请日：2011-04-05
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 住友电木株式会社
IPC: C07C205/03 , C08F24/00 , C08F28/06 , C08F32/00 , C08F232/08 , C08G61/08 , G03C5/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/11 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/2041
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了用于浸入式光刻方法的非自可成像降冰片烯型聚合物，制备这样的聚合物的方法，使用这样的聚合物的组合物和利用这样的组合物的浸入式光刻方法。更具体地，本发明的实施方案涉及用于在浸入式光刻方法中形成覆盖光刻胶层的顶部涂层的降冰片烯型聚合物及其方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103261250B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180042505.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一羲 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105038069A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510255696.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08L45/00 , C08K5/3415 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105038069B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510255696.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08L45/00 , C08K5/3415 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN104877292A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510255678.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08L45/00
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN103261250A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180042505.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一羲 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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