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公开(公告)号：CN102892746A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024123.3
申请日：2011-04-05
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 , 住友电木株式会社
IPC: C07C205/03 , C08F24/00 , C08F28/06 , C08F32/00 , C08F232/08 , C08G61/08 , G03C5/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/11 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/2041
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了用于浸入式光刻方法的非自可成像降冰片烯型聚合物，制备这样的聚合物的方法，使用这样的聚合物的组合物和利用这样的组合物的浸入式光刻方法。更具体地，本发明的实施方案涉及用于在浸入式光刻方法中形成覆盖光刻胶层的顶部涂层的降冰片烯型聚合物及其方法。
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公开(公告)号：CN101663331B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880013053.X
申请日：2008-03-28
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司
Abstract: 控制多(环)烯烃(降冰片烯类)聚合物分子量和用单一材料活化其聚合的方法。这一方法包括添加链转移剂/活化剂到单体、催化剂、溶剂和任选的助催化剂的混合物中，和聚合该混合物，形成聚合物。表明在混合物内链转移剂/活化剂的用量可起到控制所得聚合物分子量、其％转化率或这二者的作用，和在一些实施方案中，控制所得聚合物的光学密度。
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公开(公告)号：CN103261250B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180042505.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一羲 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN103097420B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180042209.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , P·米斯基韦茨 , T·库尔 , P·维尔兹乔维克 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什希 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0043 , C08F232/00 , C08L65/00 , C08L2203/20 , H01L51/0035 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明涉及聚环烯烃在电子器件中的用途且特别涉及这种聚环烯烃作为施用于用于电子器件中的绝缘层的夹层的用途，包含这种聚环烯烃夹层的电子器件以及用于制备这种聚环烯烃夹层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN105440540A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510809675.5
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , P·米斯基韦茨 , T·库尔 , P·维尔兹乔维克 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什希 , S·史密斯
IPC: C08L45/00 , C08K5/544 , C08K5/3415
CPC classification number: H01L51/0043 , C08F232/00 , C08L65/00 , C08L2203/20 , H01L51/0035 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31938 , C08L45/00 , C08K5/3415 , C08K5/544 , C08L33/12
Abstract: 本发明涉及聚环烯烃在电子器件中的用途且特别涉及这种聚环烯烃作为施用于电子器件中的绝缘层的夹层的用途，包含这种聚环烯烃夹层的电子器件以及用于制备这种聚环烯烃夹层和电子器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105038069A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510255696.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08L45/00 , C08K5/3415 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN103097420A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180042209.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , P·米斯基韦茨 , T·库尔 , P·维尔兹乔维克 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什希 , S·史密斯
IPC: C08F232/00 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0043 , C08F232/00 , C08L65/00 , C08L2203/20 , H01L51/0035 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明涉及聚环烯烃在电子器件中的用途且特别涉及这种聚环烯烃作为施用于用于电子器件中的绝缘层的夹层的用途，包含这种聚环烯烃夹层的电子器件以及用于制备这种聚环烯烃夹层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN101663331A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880013053.X
申请日：2008-03-28
Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司
Abstract: 控制多(环)烯烃(降冰片烯类)聚合物分子量和用单一材料活化其聚合的方法。这一方法包括添加链转移剂/活化剂到单体、催化剂、溶剂和任选的助催化剂的混合物中，和聚合该混合物，形成聚合物。表明在混合物内链转移剂/活化剂的用量可起到控制所得聚合物分子量、其％转化率或这二者的作用，和在一些实施方案中，控制所得聚合物的光学密度。
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公开(公告)号：CN105038069B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510255696.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08L45/00 , C08K5/3415 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN104877292A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510255678.9
申请日：2011-08-26
Applicant: 默克专利股份有限公司 , 普罗米鲁斯有限责任公司
Inventor： D·C·穆勒 , T·库尔 , P·米斯基韦茨 , M·卡拉斯克-奥罗兹可 , A·贝尔 , E·埃尔斯 , L·F·罗迪斯 , 藤田一義 , H·恩格 , P·坎达纳拉什切 , S·史密斯
IPC: C08L45/00
CPC classification number: H01L51/052 , C08F32/04 , C08F232/00 , C08L45/00 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/107
Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
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