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公开(公告)号：CN101308229A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810091917.1
申请日：2004-11-22
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: G02B6/1221 , C08F232/00 , G02B6/138 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明的实施方案提供波导结构体和形成这种结构体的方法，其中确定核芯和侧向邻接的覆盖区域。本发明的一些实施方案提供其中核芯区域总的来说被侧向邻接的覆盖区域和覆盖层围绕的波导结构体和形成这种结构体的方法。
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公开(公告)号：CN100510810C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480040049.4
申请日：2004-11-22
Applicant: 住友电木株式会社
Abstract: 本发明的实施方案提供波导结构体和形成这种结构体的方法，其中确定核芯和侧向邻接的覆盖区域。本发明的一些实施方案提供其中核芯区域总的来说被侧向邻接的覆盖区域和覆盖层围绕的波导结构体和形成这种结构体的方法。
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公开(公告)号：CN103649220B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280034811.2
申请日：2012-07-16
Applicant: 住友电木株式会社 , 普罗米鲁斯有限责任公司
IPC: C08L65/00
CPC classification number: G03F7/0233 , C08F32/08 , C08F222/06 , C08F232/08 , C09D135/00 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/0384
Abstract: 公开了可用于形成可自成像薄膜的共聚物和包括这种共聚物的组合物。这些共聚物包括降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元，其中这种和马来酸酐-型重复单元中的至少一些被开环。由这些共聚物组合物形成的薄膜提供可自成像的低-k、热稳定层以供在微电子和光电器件中使用。
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公开(公告)号：CN101308228B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN200810091918.6
申请日：2004-11-22
Applicant: 住友电木株式会社
Abstract: 本发明的实施方案提供波导结构体和形成这种结构体的方法，其中确定核芯和侧向邻接的覆盖区域。本发明的一些实施方案提供其中核芯区域总的来说被侧向邻接的覆盖区域和覆盖层围绕的波导结构体和形成这种结构体的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103649220A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034811.2
申请日：2012-07-16
Applicant: 住友电木株式会社 , 普罗米鲁斯有限责任公司
IPC: C08L65/00
CPC classification number: G03F7/0233 , C08F32/08 , C08F222/06 , C08F232/08 , C09D135/00 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/0384
Abstract: 本发明公开了可用于形成可自成像薄膜的共聚物和包括这种共聚物的组合物。这些共聚物包括降冰片烯-型重复单元和马来酸酐-型重复单元，其中这种和马来酸酐-型重复单元中的至少一些被开环。由这些共聚物组合物形成的薄膜提供可自成像的低-k、热稳定层以供在微电子和光电器件中使用。
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公开(公告)号：CN1902515A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480040049.4
申请日：2004-11-22
Applicant: 住友电木株式会社
Abstract: 本发明的实施方案提供波导结构体和形成这种结构体的方法，其中确定核芯和侧向邻接的覆盖区域。本发明的一些实施方案提供其中核芯区域总的来说被侧向邻接的覆盖区域和覆盖层围绕的波导结构体和形成这种结构体的方法。
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公开(公告)号：CN101308229B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810091917.1
申请日：2004-11-22
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: G02B6/1221 , C08F232/00 , G02B6/138 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明的实施方案提供波导结构体和形成这种结构体的方法，其中确定核芯和侧向邻接的覆盖区域。本发明的一些实施方案提供其中核芯区域总的来说被侧向邻接的覆盖区域和覆盖层围绕的波导结构体和形成这种结构体的方法。
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公开(公告)号：CN101308228A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810091918.6
申请日：2004-11-22
Applicant: 住友电木株式会社
Abstract: 本发明的实施方案提供波导结构体和形成这种结构体的方法，其中确定核芯和侧向邻接的覆盖区域。本发明的一些实施方案提供其中核芯区域总的来说被侧向邻接的覆盖区域和覆盖层围绕的波导结构体和形成这种结构体的方法。
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公开(公告)号：CN101308227A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810091916.7
申请日：2004-11-22
Applicant: 住友电木株式会社
Abstract: 本发明的实施方案提供波导结构体和形成这种结构体的方法，其中确定核芯和侧向邻接的覆盖区域。本发明的一些实施方案提供其中核芯区域总的来说被侧向邻接的覆盖区域和覆盖层围绕的波导结构体和形成这种结构体的方法。
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