掺杂剂注入层
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103858248B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201280038330.9

    申请日:2012-08-02

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/5032

    Abstract: 本发明使用了用于电子器件的等电位源层,其中该等电位源层提供优先注入该电子器件的活性层的带电荷离子,从而该被注入的离子的电荷正负与应用到该等电位源层的相对偏压的正负相同。该源层可包括复合材料离子掺杂剂注入层,其包括至少一种对离子具有相对高的扩散系数的组分。该复合材料离子掺杂剂注入层可包括金属性导电颗粒和离子支撑基质。该复合材料离子掺杂剂注入层还可包括连续的金属性导电网络和离子支撑基质。该金属性网络包括金属性纳米线或导电纳米管。该离子支撑基质包括导电聚合物。

    掺杂剂注入层
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103858248A

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201280038330.9

    申请日:2012-08-02

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/5032

    Abstract: 本发明使用了用于电子器件的等电位源层,其中该等电位源层提供优先注入该电子器件的活性层的带电荷离子,从而该被注入的离子的电荷正负与应用到该等电位源层的相对偏压的正负相同。该源层可包括复合材料离子掺杂剂注入层,其包括至少一种对离子具有相对高的扩散系数的组分。该复合材料离子掺杂剂注入层可包括金属性导电颗粒和离子支撑基质。该复合材料离子掺杂剂注入层还可包括连续的金属性导电网络和离子支撑基质。该金属性网络包括金属性纳米线或导电纳米管。该离子支撑基质包括导电聚合物。

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