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公开(公告)号：CN102349025A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011751.3
申请日：2010-03-08
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/092 , G03F7/11 , Y10T428/24802
Abstract: 阴图制版可成像元件可用于提供平版印版。所述可成像元件具有合适的对辐射敏感的可成像层和设置在所述可成像层上的水溶性防护层。该防护层包含至少一种皂化度为至少90％的聚乙烯醇、烷醇的烷氧基化产物和2-磺酸基琥珀酸二烷基酯、或1，4-丁二醇的烷氧基化产物。
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公开(公告)号：CN101884014B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880118874.X
申请日：2008-11-21
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/033 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/02 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/262 , B41C2210/266 , Y10S430/121
Abstract: 辐射敏感组合物和可成像元件包括在可成像层中的聚合物或非聚合物组分，该组分包括1H-四唑基团。非聚合物组分可以为可自由基聚合化合物。聚合物组分可以具有挂在主链上的1H-四唑基团。在负片型或正片型可成像元件中使用这些成分提供了高曝光速度和改进的可显影性，以提供具有改进的耐化学品性和耐印力的成像后或显影后元件，例如平板印版。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101971095B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200980109009.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/075 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/10 , B41C2210/20 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/266 , G03F7/0047
Abstract: 用辐射敏感性可成像层制备的负性工作可成像元件，该辐射敏感性可成像层含有表面改性的二氧化硅颗粒例如热解法二氧化硅颗粒和溶胶凝胶二氧化硅颗粒，所述颗粒按大约1-大约40重量％的量存在，具有大约1-大约500nm的平均粒度，具有表面羟基，并具有大约0.5-大约15重量％的源自含1-30个碳原子的表面疏水性基团的碳含量。所述表面改性的二氧化硅颗粒的存在提供改进的耐磨性、降低的粘性和各种其它期望的性能。
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公开(公告)号：CN101228479A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026706.9
申请日：2006-07-03
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/027 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/02 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/20 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41M5/368 , B41M5/41 , B41M5/42 , B41M2205/40
Abstract: 一种射线敏感元件，其包括(a)基底，和(b)射线敏感涂层，所述涂层包含(i)至少一种选自光引发剂和敏化剂/共引发剂系统的组分，该组分吸收250－1,200nm波长的辐射；(ii)至少一种式(I)的低聚物A，其中X1、X2和X3独立选自直链或环状C4－C12亚烷基和C6－C10亚芳基、杂环基、杂芳基及上述两种或多种的组合，R1、R2和R3独立选自(II)和(III)，其条件为(1)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＝0，和(2)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＞2，及(3)在式(III)中，至少一个基团R6不为H。
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公开(公告)号：CN101228479B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200680026706.9
申请日：2006-07-03
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/027 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/02 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/20 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41M5/368 , B41M5/41 , B41M5/42 , B41M2205/40
Abstract: 一种射线敏感元件，其包括(a)基底，和(b)射线敏感涂层，所述涂层包含(i)至少一种选自光引发剂和敏化剂/共引发剂系统的组分，该组分吸收250-1，200nm波长的辐射；(ii)至少一种式(I)的低聚物A其中X1、X2和X3独立选自直链或环状C4-C12亚烷基和C6-C10亚芳基、杂环基、杂芳基及上述两种或多种的组合，R1、R2和R3独立选自(II)和(III)，其条件为(1)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＝0，和(2)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＞2，及(3)在式(III)中，至少一个基团R6不为H。
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公开(公告)号：CN101971095A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980109009.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/075 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/10 , B41C2210/20 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/266 , G03F7/0047
Abstract: 用辐射敏感性可成像层制备的负性工作可成像元件，该辐射敏感性可成像层含有表面改性的二氧化硅颗粒例如热解法二氧化硅颗粒和溶胶凝胶二氧化硅颗粒，所述颗粒按大约1-大约40重量％的量存在，具有大约1-大约500nm的平均粒度，具有表面羟基，并具有大约0.5-大约15重量％的源自含1-30个碳原子的表面疏水性基团的碳含量。所述表面改性的二氧化硅颗粒的存在提供改进的耐磨性、降低的粘性和各种其它期望的性能。
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公开(公告)号：CN101884014A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118874.X
申请日：2008-11-21
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/033 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/02 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/262 , B41C2210/266 , Y10S430/121
Abstract: 辐射敏感组合物和可成像元件包括在可成像层中的聚合物或非聚合物组分，该组分包括1H-四唑基团。非聚合物组分可以为可自由基聚合化合物。聚合物组分可以具有挂在主链上的1H-四唑基团。在负片型或正片型可成像元件中使用这些成分提供了高曝光速度和改进的可显影性，以提供具有改进的耐化学品性和耐印力的成像后或显影后元件，例如平板印版。
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