公开(公告)号：CN101228479B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200680026706.9

申请日：2006-07-03

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： H·鲍曼 ,  B·施特勒梅尔 ,  D·皮特施 ,  U·德瓦斯 ,  T·埃布哈德特 ,  A·德拉贝尔

IPC: G03F7/027 ,  B41M5/40

CPC classification number: G03F7/027 ,  B41C1/1008 ,  B41C1/1016 ,  B41C2201/02 ,  B41C2201/14 ,  B41C2210/02 ,  B41C2210/04 ,  B41C2210/06 ,  B41C2210/20 ,  B41C2210/22 ,  B41C2210/24 ,  B41M5/368 ,  B41M5/41 ,  B41M5/42 ,  B41M2205/40

Abstract: 一种射线敏感元件，其包括(a)基底，和(b)射线敏感涂层，所述涂层包含(i)至少一种选自光引发剂和敏化剂/共引发剂系统的组分，该组分吸收250-1，200nm波长的辐射；(ii)至少一种式(I)的低聚物A其中X1、X2和X3独立选自直链或环状C4-C12亚烷基和C6-C10亚芳基、杂环基、杂芳基及上述两种或多种的组合，R1、R2和R3独立选自(II)和(III)，其条件为(1)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＝0，和(2)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＞2，及(3)在式(III)中，至少一个基团R6不为H。

公开(公告)号：CN101228479A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680026706.9

申请日：2006-07-03

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： H·鲍曼 ,  B·施特勒梅尔 ,  D·皮特施 ,  U·德瓦斯 ,  T·埃布哈德特 ,  A·德拉贝尔

IPC: G03F7/027 ,  B41M5/40

CPC classification number: G03F7/027 ,  B41C1/1008 ,  B41C1/1016 ,  B41C2201/02 ,  B41C2201/14 ,  B41C2210/02 ,  B41C2210/04 ,  B41C2210/06 ,  B41C2210/20 ,  B41C2210/22 ,  B41C2210/24 ,  B41M5/368 ,  B41M5/41 ,  B41M5/42 ,  B41M2205/40

Abstract: 一种射线敏感元件，其包括(a)基底，和(b)射线敏感涂层，所述涂层包含(i)至少一种选自光引发剂和敏化剂/共引发剂系统的组分，该组分吸收250－1,200nm波长的辐射；(ii)至少一种式(I)的低聚物A，其中X1、X2和X3独立选自直链或环状C4－C12亚烷基和C6－C10亚芳基、杂环基、杂芳基及上述两种或多种的组合，R1、R2和R3独立选自(II)和(III)，其条件为(1)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＝0，和(2)在R1、R2和R3的至少一个基团中，n＞2，及(3)在式(III)中，至少一个基团R6不为H。