一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备

    公开(公告)号:CN113957416B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202111231325.7

    申请日:2021-10-22

    Inventor: 季旭 林丽君 赵栋

    Abstract: 本发明属于氧化物薄膜沉积设备技术领域,具体涉及一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备,包括底板,底板上端固定连接有竖板,竖板前端上侧固定连接有箱体,箱体下端均有开口,箱体内侧顶部固定连接有喷淋器,喷淋器的进料管贯穿箱体上端,箱体内侧顶部设有气压传感器,底板上端固定连接有电动升降机构,电动升降机构上侧的升降端固定连接有能与箱体内壁密封滑动连接的基座,通过这种动态调节沉积空间大小的方式能够使沉积空间内的气压处于合理压力范围值内,避免气压过大或者过小而影响沉积效果,由于该气压调节方式不会向外部空间排放反应气体,因此不会浪费反应气体,同时也不会对外部环境造成污染。

    一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备

    公开(公告)号:CN113957416A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111231325.7

    申请日:2021-10-22

    Inventor: 季旭 林丽君 赵栋

    Abstract: 本发明属于氧化物薄膜沉积设备技术领域,具体涉及一种半导体结型ZnO薄膜沉积设备,包括底板,底板上端固定连接有竖板,竖板前端上侧固定连接有箱体,箱体下端均有开口,箱体内侧顶部固定连接有喷淋器,喷淋器的进料管贯穿箱体上端,箱体内侧顶部设有气压传感器,底板上端固定连接有电动升降机构,电动升降机构上侧的升降端固定连接有能与箱体内壁密封滑动连接的基座,通过这种动态调节沉积空间大小的方式能够使沉积空间内的气压处于合理压力范围值内,避免气压过大或者过小而影响沉积效果,由于该气压调节方式不会向外部空间排放反应气体,因此不会浪费反应气体,同时也不会对外部环境造成污染。

    一种纳米材料氧化锌的制备方法及装置

    公开(公告)号:CN114455625A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210134813.4

    申请日:2022-02-14

    Abstract: 本发明涉及氧化锌制备技术领域,具体公开了一种纳米材料氧化锌的制备方法及装置,包括工作架、两块竖板、沉淀桶、清洗机构和热解箱,两块竖板均与工作架固定连接,沉淀桶均与两块竖板转动连接,清洗机构包括电机、盖板、两根连接杆、滚筒刷、安装块、多组刮除组件、管体和阀门,盖板与沉淀桶拆卸连接,安装块设置有多个凹槽,每个凹槽内均设置有刮除组件,每组刮除组件包括弹簧和第一刮片,弹簧设置在对应的凹槽内,弹簧的一端与安装块固定连接,弹簧的另一端与对应的第一刮片固定连接,管体与沉淀桶连通,阀门安装在管体上,热解箱与工作架固定连接,通过上述结构设置,以此能够更方便的对沉淀桶进行清洗。

    一种学生管理用门禁装置

    公开(公告)号:CN113947829A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111211272.2

    申请日:2021-10-18

    Abstract: 本发明属于门禁装置技术领域,具体涉及一种学生管理用门禁装置,包括底板,底板上端固定连接两个左右对称设置的闸机机构,闸机机构包括壳体,壳体内部上侧转动连接有前后方向设置的转杆,壳体内固定连接有能够驱动转杆转动的驱动组件,转杆设有拦截组件,该门禁装置通过驱动杆与从动杆转动为拱起状态形成闸板打开,同时通过驱动杆与从动杆转动为展平状态实现闸板关闭,由于没有存在较宽的实际闸板,所以壳体不用设置成较宽的宽度,这样整个闸机的总体宽度就不会较宽,相比现有的门禁闸机能够在有限的空间布置更多的闸机,这样便能提升学生的通行效率。

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