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公开(公告)号：CN101292421B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200680039438.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/0038 , H03H9/0071 , H03H9/0274 , H03H9/14582 , H03H9/14588
Abstract: 提供了一种声表面波装置，抑制了通带内微小波动的产生，改善了插入损耗，并提高了平衡度。与声表面波谐振器(16)并联连接的第一和第二声表面波元件(14、15)各自具备：沿着在压电基板(1)上传播的声表面波的传播方向配置、均具有多个电极指的三个以上的奇数个IDT(2-4、5-7)；和配置于IDT两端、均具有多个电极指的反射器(8、20、21、10)，并且在IDT和反射器各自具备的所有电极指中，与不同的IDT或反射器相邻的电极指的极性以位于中央的IDT为中心对称配置。
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公开(公告)号：CN100571032C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510097705.0
申请日：2005-08-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种倒装构造的声表面波元件，特别是一种改善了通频带外衰减量的声表面波元件、声表面波装置以及使用该声表面波装置的通信装置。该装置在压电基板(2)的滤波器区域中，分别形成有IDT电极(3)，以及与该IDT电极(3)相连接的输入电极部(5)与输出电极部(6)；在上述压电基板(2)的相反的另一方主面中形成有半导体层(22)。通过该半导体层(22)，能够防止元件制造工序的热电破坏，并且还能够防止通频带外衰减量特性的恶化。
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公开(公告)号：CN1921302A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121310.4
申请日：2006-08-22
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H01L2224/05001 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H03H9/02559 , H03H9/059 , H03H9/1092 , H03H9/14541 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 一种表面声波装置，包括形成于压电基片上的激励电极和将与安装基片连接的结合电极。所述结合电极设置有形成于所述压电基片上的下电极以及由粘合电极层和阻挡金属电极层形成的中间层。所述阻挡金属电极层包括至少一层杂质包含层。所述结合电极表现为形成以包围所述激励电极的环形电极和连接到所述激励电极的布线电极。所述压电基片、所述下电极和所述阻挡金属电极层中的至少一个的表面被轰击以使其成为粗糙表面。因此，能够抑制因每一层内所引起的薄膜应力而导致的翘曲。
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公开(公告)号：CN100547919C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200610067976.6
申请日：2006-03-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
Abstract: 一种弹性表面波共振子，在其压电基板(19)上，具备有：IDT电极(1)；反射器电极(2)，其与该IDT电极(1)的弹性表面波的主传导方向(F)的两端邻接配置；以及辅助反射器电极(3)，其位于将所述IDT电极(1)的汇流电极(12a)假设延长后的直线上，且在所述反射器电极(2)的外侧的四处的位置上，使反复电极(14b)的反复方向(G)朝向所述IDT电极(1)，被倾斜配置。
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公开(公告)号：CN100539413C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510087932.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/1085 , H01L2224/16225 , H03H9/02574 , H03H9/02614 , H03H9/02952 , H03H9/02984 , H03H9/0576 , H03H9/059 , H03H9/1092 , H03H9/72 , H03H9/725
Abstract: 在形成发送端滤波器区域(12)以及接收端滤波器区域(13)的压电基板(2)的另一个主面上，粘接由比压电基板(2)介电常数小的材料构成的第2基板(21)，在第2基板(21)的另一个主面的全体形成导体层(22)。压电基板(2)的实际介电常数变小，能使在发送端滤波器区域(12)的输入电极部(5)和接收端滤波器区域(13)的输出电极部(6)之间形成的寄生电容减小，能够改善隔离特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100452650C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200410063423.4
申请日：2004-07-01
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0057 , H03H9/0061 , H03H9/02763 , H03H9/14582 , H03H9/14588 , H03H9/25 , H03H9/6436
Abstract: 在压电基板(1)上，沿着弹性表面波输送方向，配置IDT电极(2、3、4)，在IDT电极之间配置反射器(5、6)，所述反射器具有沿与所述输送方向正交的方向延伸的4根以上的电极指。所述反射器k的电极指间距a，从该反射器的两端向中央部分逐渐变短。通过改变所述电极指间距，可以控制带通的频率，可以实现具有宽频带传送特性的弹性表面波装置。
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公开(公告)号：CN1741379A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510097705.0
申请日：2005-08-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种倒装构造的声表面波元件，特别是一种改善了通频带外衰减量的声表面波元件、声表面波装置以及使用该声表面波装置的通信装置。该装置在压电基板(2)的滤波器区域中，分别形成有IDT电极(3)，以及与该IDT电极(3)相连接的输入电极部(5)与输出电极部(6)；在上述压电基板(2)的相反的另一方主面中形成有半导体层(22)。通过该半导体层(22)，能够防止元件制造工序的热电破坏，并且还能够防止通频带外衰减量特性的恶化。
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公开(公告)号：CN1741378A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510095974.3
申请日：2005-08-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02614 , H03H9/02921
Abstract: 本发明涉及一种声表面波元件，在钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体所构成的、含氧量比化学计量比组成少的弱热电性的压电基板(1)上，形成氧化层(2)，在其之上形成IDT电极(3)。因此，能够消除弱热电性的压电基板的热电效应所导致的微细电极的静电破坏，且不会发生频率特性的劣化。
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公开(公告)号：CN100533970C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510079165.3
申请日：2005-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 在压电基板(1)的一侧主面中形成IDT电极(2)与电极焊盘(3)，并形成将它们包围的环状电极(4)。环状电极(4)，经形成在电路基板(11)内部的贯通导体(14)，与形成在电路基板(11)的下面的散热导体(15)相连接。通过这样，IDT电极(2)所产生的热，很容易经环状电极(4)、贯通导体(14)以及散热导体(15)向外部释放，抑制了热所带来的不良影响，从而能够提高弹性表面波装置的耐功率性。
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公开(公告)号：CN101268611A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034747.2
申请日：2006-09-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/14541
Abstract: 该弹性表面波元件(1)具备在压电基板(10)上具有电极指(11a)的IDT电极(11)。电极指(11a)层叠中间层(12)与具有比中间层(12)更大的热膨胀系数的电极层(13)。电极指(11a)具有在接近压电基板(10)的方向变宽的梯形形状的截面形状。中间层(12)的侧面(1)所成的角度(α1)形成为比电极层(13)的侧面所成的角度(β1)更大。
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