公开(公告)号：CN1741378A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510095974.3

申请日：2005-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 尾原郁夫 ,  卷渕大辅 ,  村冈邦彦 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02614 ,  H03H9/02921

Abstract: 本发明涉及一种声表面波元件，在钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体所构成的、含氧量比化学计量比组成少的弱热电性的压电基板(1)上，形成氧化层(2)，在其之上形成IDT电极(3)。因此，能够消除弱热电性的压电基板的热电效应所导致的微细电极的静电破坏，且不会发生频率特性的劣化。

公开(公告)号：CN1741378B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510095974.3

申请日：2005-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 尾原郁夫 ,  卷渕大辅 ,  村冈邦彦 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02614 ,  H03H9/02921

Abstract: 本发明涉及一种声表面波元件，在钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体所构成的、含氧量比化学计量比组成少的弱热电性的压电基板(1)上，形成氧化层(2)，在其之上形成IDT电极(3)。因此，能够消除弱热电性的压电基板的热电效应所导致的微细电极的静电破坏，且不会发生频率特性的劣化。