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公开(公告)号：CN112219458A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980035278.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 汤川英敏
Abstract: 本公开的布线基板(1)具有：绝缘层(3)；第1导体层(9)，位于绝缘层(3)的表面，且包含以下中的任一者：镍及铬；属于周期表的IV族的金属；或者属于周期表的VI族的金属；第2导体层(10)，位于比第1导体层(9)上的外周缘更靠内侧的位置且包含铜；第3导体层(11)，以覆盖第1导体层(9)以及第2导体层(10)的状态位于绝缘层3的表面且包含镍；以及第4导体层(12)，以覆盖第3导体层(11)的状态配置且包含金。第3导体层(11)具有比第1导体层(9)的外周缘更向外侧伸出的伸出部(11a)，第4导体层(12)位于伸出部(11a)与绝缘层(3)之间。
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公开(公告)号：CN112219458B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201980035278.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 汤川英敏
Abstract: 本公开的布线基板(1)具有：绝缘层(3)；第1导体层(9)，位于绝缘层(3)的表面，且包含以下中的任一者：镍及铬；属于周期表的IV族的金属；或者属于周期表的VI族的金属；第2导体层(10)，位于比第1导体层(9)上的外周缘更靠内侧的位置且包含铜；第3导体层(11)，以覆盖第1导体层(9)以及第2导体层(10)的状态位于绝缘层3的表面且包含镍；以及第4导体层(12)，以覆盖第3导体层(11)的状态配置且包含金。第3导体层(11)具有比第1导体层(9)的外周缘更向外侧伸出的伸出部(11a)，第4导体层(12)位于伸出部(11a)与绝缘层(3)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109729638A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811121632.8
申请日：2018-09-26
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明的布线基板具有：第一绝缘层，其具有包含凹凸的表面；第二绝缘层，其具有包含凹凸的表面且层叠于第一绝缘层，包含与第一绝缘层相同种类的绝缘材料；多个绝缘粒子，其以40～80wt％的比例分别包含于第一绝缘层及第二绝缘层，且包括部分露出粒子；第一布线导体，其位于第一基底金属层的表面，第一基底金属层位于第一绝缘层的从表面至表层内的位置；以及第二布线导体，其位于第二基底金属层的表面，第二基底金属层位于第二绝缘层的从表面至表层内的位置，第二绝缘层的表面中的第二布线导体所在的区域的凹凸的第二高低差比第一绝缘层的表面中的第一布线导体所在的区域的凹凸的第一高低差小，第二高低差为绝缘粒子的平均粒径的2/5以下。
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公开(公告)号：CN119896046A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380068050.0
申请日：2023-09-25
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 汤川英敏
Abstract: 本公开所涉及的布线基板包括：第一绝缘层，具有第一面；连接盘导体，位于第一面；第二绝缘层，覆盖第一面以及连接盘导体，在与第一绝缘层相反的一侧具有第二面；通孔，从第二绝缘层的第二面贯通至连接盘导体；以及通孔导体，位于通孔，与连接盘导体相接。通孔导体具有：基底金属层，位于连接盘导体的表面、通孔的壁面以及第二面；以及电解镀层，位于基底金属层上。多个空隙位于基底金属层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116602059A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180079100.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 汤川英敏
IPC: H05K3/24
Abstract: 本公开所涉及的布线基板包括绝缘树脂层和位于绝缘树脂层上的布线导体。布线导体包括：第一基底金属层；第二基底金属层，位于第一基底金属层上；布线金属层，位于第二基底金属层上；锡层，配置为覆盖第一基底金属层、第二基底金属层及布线金属层；以及硅烷偶联剂层，配置为覆盖锡层。在沿宽度方向剖视布线导体的情况下，布线金属层从第一基底金属层侧起包括比第一基底金属层的宽度窄的部分、与第一基底金属层的宽度相同的部分、以及比第一基底金属层的宽度宽的部分。
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公开(公告)号：CN109729638B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201811121632.8
申请日：2018-09-26
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明的布线基板具有：第一绝缘层，其具有包含凹凸的表面；第二绝缘层，其具有包含凹凸的表面且层叠于第一绝缘层，包含与第一绝缘层相同种类的绝缘材料；多个绝缘粒子，其以40～80wt％的比例分别包含于第一绝缘层及第二绝缘层，且包括部分露出粒子；第一布线导体，其位于第一基底金属层的表面，第一基底金属层位于第一绝缘层的从表面至表层内的位置；以及第二布线导体，其位于第二基底金属层的表面，第二基底金属层位于第二绝缘层的从表面至表层内的位置，第二绝缘层的表面中的第二布线导体所在的区域的凹凸的第二高低差比第一绝缘层的表面中的第一布线导体所在的区域的凹凸的第一高低差小，第二高低差为绝缘粒子的平均粒径的2/5以下。
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