公开(公告)号：CN103748787A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280040419.9

申请日：2012-08-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大桥康隆 ,  浅井觉词 ,  永田优

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H03H9/1092 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/0533 ,  H03H9/02992 ,  H03H9/105 ,  H03H9/171

Abstract: 提供能长时间保持振动空间的气密性的弹性波装置。为此，使弹性波装置(1)构成为具备：元件基板(3)；位于元件基板(3)的主面(3a)的激励电极(5)；和封盖(9)，其包含包围激励电极(5)地位于元件基板(3)的主面上的框部(2)、以及与框部(2)重叠来堵塞框部(2)并且具有从框部(2)的内壁的上方边开始连续覆盖该内壁的至少一部分的下垂部(4a)的盖部(4)。

公开(公告)号：CN110089031B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201880005203.6

申请日：2018-03-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉 ,  南部雅树 ,  永田优 ,  松冈俊树

IPC: H03H9/25

Abstract: SAW装置具有：压电基板；贴合于压电基板的下表面且热膨胀系数比压电基板小的支承基板；位于压电基板上的IDT电极；在IDT电极上形成有空间的盖体；以及在盖体上相互并列地延伸且俯视透视下至少一部分与空间重叠的多个带状导体。

公开(公告)号：CN108885165A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021252.4

申请日：2017-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小林京平 ,  上野凉 ,  阿部真一 ,  坂井久 ,  永田优 ,  安田隆则

IPC: G01N19/00 ,  G01L9/00 ,  G01N5/02

CPC classification number: G01L9/00 ,  G01N5/02 ,  G01N19/00

Abstract: 应力传感器具备：膜片；中间层，被配置在膜片的面上；感应膜，被配置在中间层上；和压电电阻元件，位于膜片中与中间层的外缘接触的区域。

公开(公告)号：CN108885165B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201780021252.4

申请日：2017-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小林京平 ,  上野凉 ,  阿部真一 ,  坂井久 ,  永田优 ,  安田隆则

IPC: G01N19/00 ,  G01L9/00 ,  G01N5/02

Abstract: 应力传感器具备：膜片；中间层，被配置在膜片的面上；感应膜，被配置在中间层上；和压电电阻元件，位于膜片中与中间层的外缘接触的区域。

公开(公告)号：CN103748787B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201280040419.9

申请日：2012-08-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大桥康隆 ,  浅井觉词 ,  永田优

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H03H9/1092 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/0533 ,  H03H9/02992 ,  H03H9/105 ,  H03H9/171

Abstract: 提供能长时间保持振动空间的气密性的弹性波装置。为此，使弹性波装置(1)构成为具备：元件基板(3)；位于元件基板(3)的主面(3a)的激励电极(5)；和封盖(9)，其包含包围激励电极(5)地位于元件基板(3)的主面上的框部(2)、以及与框部(2)重叠来堵塞框部(2)并且具有从框部(2)的内壁的上方边开始连续覆盖该内壁的至少一部分的下垂部(4a)的盖部(4)。

公开(公告)号：CN116134321A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180060529.0

申请日：2021-07-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤昌纪 ,  永田优 ,  小野智之 ,  仲山优季

IPC: G01N37/00

Abstract: 一种流路器件，具备：第一贮存部，其贮存液体；第一流路，其使第一贮存部的所述液体通过；以及第二流路，其使液体通往第一贮存部，第一流路的粗细度比第二流路的粗细度小。

公开(公告)号：CN110089031A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201880005203.6

申请日：2018-03-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉 ,  南部雅树 ,  永田优 ,  松冈俊树

IPC: H03H9/25

Abstract: SAW装置具有：压电基板；贴合于压电基板的下表面且热膨胀系数比压电基板小的支承基板；位于压电基板上的IDT电极；在IDT电极上形成有空间的盖体；以及在盖体上相互并列地延伸且俯视透视下至少一部分与空间重叠的多个带状导体。