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公开(公告)号:CN111900552B
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202010814132.3
申请日:2020-08-13
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开了一种具有吸收功能的温控反射式太赫兹极化转换器。它是由预先设计并进行周期性单元结构组成,结构单元从上到下依次为顶层金属微结构层,上介质层,中间二氧化钒层和中间金属微结构层,下介质层和底层金属层。通过改变温度来控制二氧化钒的状态,所设计的结构可实现反射式太赫兹波高效的极化转换和吸收功能。本发明的具有吸收功能的温控反射式太赫兹极化转换器具有结构紧凑、设计新颖、性能优异等优点,在太赫兹成像与太赫兹通信中具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号:CN111900552A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN202010814132.3
申请日:2020-08-13
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开了一种具有吸收功能的温控反射式太赫兹极化转换器。它是由预先设计并进行周期性单元结构组成,结构单元从上到下依次为顶层金属微结构层,上介质层,中间二氧化钒层和中间金属微结构层,下介质层和底层金属层。通过改变温度来控制二氧化钒的状态,所设计的结构可实现反射式太赫兹波高效的极化转换和吸收功能。本发明的具有吸收功能的温控反射式太赫兹极化转换器具有结构紧凑、设计新颖、性能优异等优点,在太赫兹成像与太赫兹通信中具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号:CN112014350B
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202010813172.6
申请日:2020-08-13
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种反射式太赫兹可调折射率传感器。它包括N×N个在平面上周期排列的结构单元;每个结构单元包括金属层和介质层,其中金属层处于顶层,金属层下层为介质层;金属层中开设有第一矩形空气槽、第二矩形空气槽和工字型空气槽。工字型空气槽内,第三水平空气槽中在介质层表面贴有第一石墨烯纳米嵌入条,第四水平空气槽中在介质层表面贴有第二石墨烯纳米嵌入条。传感器通过加电,改变嵌入空气槽中石墨烯纳米条的化学势,实现加电前三谐振反射谷到加电后两个谐振反射谷的转换。本发明的反射式可调折射率传感器尺寸小、检测范围较宽、灵敏度高、操作灵活,在化学物质的检测中具有较高的应用价值。
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公开(公告)号:CN112886260B
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202110036831.4
申请日:2021-01-12
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种力/电双可调多频段反射式极化不敏感谐振器。它包括N×N个在平面上周期排列的结构单元;每个结构单元包括二维石墨烯纳米层,金属层和柔性介质层,其中二维石墨烯纳米层处于顶层,二维石墨烯纳米层下层为金属层,金属层下层为柔性介质层;金属层中开设有谐振环空气槽、竖矩形空气槽、横矩形空气槽、竖U形空气槽、横U形空气槽。本谐振器件由于使用柔性介质层,通过给器件施加外力,实现器件的形变,从而达到对器件整体谐振特性的调控。本谐振器件的顶层为二维石墨烯纳米层,通过加电改变二维石墨烯纳米层化学势,达到对器件谐振点处反射率的控制。
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公开(公告)号:CN112886260A
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN202110036831.4
申请日:2021-01-12
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种力/电双可调多频段反射式极化不敏感谐振器。它包括N×N个在平面上周期排列的结构单元;每个结构单元包括二维石墨烯纳米层,金属层和柔性介质层,其中二维石墨烯纳米层处于顶层,二维石墨烯纳米层下层为金属层,金属层下层为柔性介质层;金属层中开设有谐振环空气槽、竖矩形空气槽、横矩形空气槽、竖U形空气槽、横U形空气槽。本谐振器件由于使用柔性介质层,通过给器件施加外力,实现器件的形变,从而达到对器件整体谐振特性的调控。本谐振器件的顶层为二维石墨烯纳米层,通过加电改变二维石墨烯纳米层化学势,达到对器件谐振点处反射率的控制。
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公开(公告)号:CN112014350A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN202010813172.6
申请日:2020-08-13
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种反射式太赫兹可调折射率传感器。它包括N×N个在平面上周期排列的结构单元;每个结构单元包括金属层和介质层,其中金属层处于顶层,金属层下层为介质层;金属层中开设有第一矩形空气槽、第二矩形空气槽和工字型空气槽。工字型空气槽内,第三水平空气槽中在介质层表面贴有第一石墨烯纳米嵌入条,第四水平空气槽中在介质层表面贴有第二石墨烯纳米嵌入条。传感器通过加电,改变嵌入空气槽中石墨烯纳米条的化学势,实现加电前三谐振反射谷到加电后两个谐振反射谷的转换。本发明的反射式可调折射率传感器尺寸小、检测范围较宽、灵敏度高、操作灵活,在化学物质的检测中具有较高的应用价值。
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公开(公告)号:CN110085954B
公开(公告)日:2020-10-13
申请号:CN201910345454.5
申请日:2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器。它包括太赫兹波输入端、太赫兹波输出端、N×N个结构单元,N为自然数,N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上。结构单元从上到下依次为上保护层、上金属贴片、上介质层、中间金属结构层、下介质层、下金属贴片、下保护层。上保护层与下保护层的尺寸和材料相同;上金属贴片与下金属贴片的尺寸和材料相同,且贴片上都镂空出相同的斐波那契二级分形结构;上介质层与下介质层的尺寸和材料相同;中间金属结构层由方形线圈和镂空斐波那契一级分形结构的贴片组成。本发明的斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器具有设计新颖、结构紧凑、成本低廉、性能优越等优点,满足太赫兹成像与太赫兹通信系统应用需要。
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公开(公告)号:CN110085954A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910345454.5
申请日:2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器。它包括太赫兹波输入端、太赫兹波输出端、N×N个结构单元,N为自然数,N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上。结构单元从上到下依次为上保护层、上金属贴片、上介质层、中间金属结构层、下介质层、下金属贴片、下保护层。上保护层与下保护层的尺寸和材料相同;上金属贴片与下金属贴片的尺寸和材料相同,且贴片上都镂空出相同的斐波那契二级分形结构;上介质层与下介质层的尺寸和材料相同;中间金属结构层由方形线圈和镂空斐波那契一级分形结构的贴片组成。本发明的斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器具有设计新颖、结构紧凑、成本低廉、性能优越等优点,满足太赫兹成像与太赫兹通信系统应用需要。
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公开(公告)号:CN110289500B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201910346269.8
申请日:2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底;二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层,二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成,每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成;十字图案通过二硒化钨线连接,十字图案被二硒化钨线分为两组,每组连接不同的金属电极,两组之间相互独立,二硒化钨图案的下层为介质层,介质层的下层为金属基底,金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级,从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率,实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点,可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号:CN110289500A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201910346269.8
申请日:2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底;二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层,二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成,每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成;十字图案通过二硒化钨线连接,十字图案被二硒化钨线分为两组,每组连接不同的金属电极,两组之间相互独立,二硒化钨图案的下层为介质层,介质层的下层为金属基底,金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级,从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率,实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点,可用于太赫兹波探测。
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