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公开(公告)号：CN116577964A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310706399.4
申请日：2023-06-15
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/038 , C08F220/32 , C08F212/08 , C08F220/20
Abstract: 本发明公开了一种基于三元聚合物的阳离子型双光子光刻胶及其图案化方法。所述阳离子型双光子光刻胶包含6‑30wt％的三元聚合物成膜树脂、0‑9wt％活性单体、0.5‑5wt％光酸型引发剂和65‑89.5wt％溶剂；所述的三元聚合物成膜树脂的结构式如式(I)所示，是以苯乙烯、式(II)所示的含金刚烷基甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯为反应单体，加入引发剂，通过自由基聚合反应合成。本发明通过将苯基、羟基和金刚烷等基团引入到聚合物中，提高了阳离子型光刻胶的附着力和抗蚀刻能力，可以提高图案的分辨率，以满足图案化制造需求。此外，在光刻胶体系中引入小分子单体，增加交联度，使得光刻胶具有较强的机械性能。
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公开(公告)号：CN116449648A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310274942.8
申请日：2023-03-17
Abstract: 本发明公开了一种具有高精度和低表面粗糙度的飞秒激光直写光刻胶及其应用。所述光刻胶包含单体和光引发剂，所述单体包含稀释单体和直写单体；所述的稀释单体通过如下方法制备：式(I)所示的异氰酸酯丙烯酸酯中的至少一种与式(II)所示的全氟二醇中的至少一种反应生成含氟丙烯酸酯，以该含氟丙烯酸酯为稀释单体。本发明提供了所述的光刻胶在飞秒激光直写制备微结构中的应用。本发明不仅可使飞秒激光直写结构具有较高的直写精度，而且可使其具有较低的表面粗糙度，还能增强直写结构与基底的附着力。CH2＝CR2‑C(O)‑(O‑R3)m‑NCO(I)HO‑CH2‑R1‑CH2‑OH(II)
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公开(公告)号：CN115236936B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211155652.3
申请日：2022-09-22
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光固化交联的聚酰胺酸光刻胶及其制备方法、使用方法和应用，按重量份数计，由以下组分组成：5‑30份的二酐和二胺的合计、5‑30份的丙烯酸酯类固化交联剂、0.5‑5份的双光子自由基引发剂和0.5‑5份的光酸剂。本发明通过在聚酰胺酸飞秒激光光刻胶中加入丙烯酸类树脂作为固化交联剂，在光刻过程中形成图案化，同时加入聚酰胺酸作为成膜剂并保留了聚酰亚胺光刻胶良好的性能，既不需要复杂的化学合成，又获得了良好的光刻胶性能。
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公开(公告)号：CN115236936A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211155652.3
申请日：2022-09-22
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光固化交联的聚酰胺酸光刻胶及其制备方法、使用方法和应用，按重量份数计，由以下组分组成：5‑30份的二酐和二胺的合计、5‑30份的丙烯酸酯类固化交联剂、0.5‑5份的双光子自由基引发剂和0.5‑5份的光酸剂。本发明通过在聚酰胺酸飞秒激光光刻胶中加入丙烯酸类树脂作为固化交联剂，在光刻过程中形成图案化，同时加入聚酰胺酸作为成膜剂并保留了聚酰亚胺光刻胶良好的性能，既不需要复杂的化学合成，又获得了良好的光刻胶性能。
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公开(公告)号：CN114185246B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210143737.3
申请日：2022-02-17
Abstract: 本发明属于光刻胶及激光直写技术领域，并公开了一种适用于飞秒激光直写的高精度光刻胶组合物，所述光刻胶组合物由单体和光引发剂。技术特征在于，所述光刻胶组合物具有双色光敏性，可以被特定波长的飞秒激光引发聚合，同时又可以被另一束连续激光抑制聚合，抑制光束减小了飞秒激光的直写区域，从而提高了飞秒激光直写精度；进一步的，所述光刻胶组合物折射率和光学系统的物镜折射率差异小于0.01，减小了激光在光刻胶中的相差或球差，从而进一步提高飞秒激光直写精度，本发明所提供的光刻胶组合物通过特定结构的单体，不仅具有较高的直写精度，还有较低的直写阈值和体积收缩率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116974143A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310700233.1
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光直写光刻胶及其在制备硅纳米图案中的应用。所述飞秒激光直写光刻胶包括未经改性或经过硅烷偶联剂改性的纳米硅颗粒、光引发剂、单体、树脂、分散剂和溶剂。本发明提供了所述的飞秒激光直写光刻胶在制备硅纳米图案中的应用，具体步骤为：(1)将涂有所述飞秒激光直写光刻胶的硅片放到飞秒激光直写系统的载物台上，开启飞秒激光直写系统，启动飞秒激光进行刻写；(2)将刻写后的光刻胶进行显影，得到微结构；(3)将得到的微结构于光刻胶组分中有机物的玻璃化转化温度以上进行加热，得到硅颗粒组成的硅纳米图案。本发明提供的硅基转移方案转移难度低，转移精度高，对比深硅刻蚀的转移方法极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN116859668A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310703748.7
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种阳离子型双光子光刻胶及其图案化方法。所述阳离子型双光子光刻胶含有环氧树脂、活性稀释剂、光酸型引发剂和敏化剂；所述的环氧树脂选自下列至少一种：苯酚型酚醛环氧树脂、邻甲酚型酚醛环氧树脂、双酚A型酚醛环氧树脂、四酚基乙烷四缩水甘油醚环氧树脂；所述的敏化剂选自下列至少一种：2‑异丙基硫杂蒽酮、5‑硝基苊、7‑二乙氨基‑3‑噻吩甲酰基香豆素、苯并蒽酮、9‑苯基吖啶、苯并噻唑、N‑乙烯基咔唑和酚噻嗪。本发明提供的阳离子型光刻胶的灵敏度高，既满足了高速刻写的需求，也不需要复杂的敏化剂合成步骤；双光子刻写的速度可以达到100mm/s，线条质量均匀清晰。
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公开(公告)号：CN116719208A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310701857.5
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种激光直写高速高精度铜基光刻胶及其半导体图案化方法。所述激光直写铜基光刻胶包括铜基光刻胶单体、双光子引发剂、抑制剂和溶剂；所述的抑制剂为TEMPO、BTPOS和DMPO中的至少一种；所述激光直写铜基光刻胶中，铜基光刻胶单体的质量为溶剂质量的2‑8％，双光子引发剂的质量为铜基光刻胶单体质量的0.25％‑2.5％，抑制剂的质量为铜基光刻胶单体质量的0.25％‑2.5％。本发明提供的铜基光刻胶在780nm波长的飞秒激光下聚合，最高精度可达亚50nm，最高刻写速度可达200mm/s，热解后可获得氧化铜半导体的微纳图案。
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公开(公告)号：CN115185160B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211099107.7
申请日：2022-09-09
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维素衍生物的激光直写光刻胶组合物及图案化方法，其特征在于，按质量百分比计，由4‑8wt%纤维素衍生物，4‑8wt%活性单体，0.1‑0.5wt%光敏剂及85‑90wt%溶剂构成。由纤维素衍生物作为飞秒激光直写光刻胶的固态成膜树脂，可以在光刻胶涂膜后将光刻胶固态化，并通过空气物镜的方式进行飞秒激光直写加工，而无需使用折射率匹配油，以方便进行大面积激光直写，并节省光刻胶的用量。同时，纤维素衍生物来源广泛，价格便宜，具有优异的生物可降解性，采用的活性单体和光敏剂也均具有生物相容性，最终光刻胶组合物几乎无毒，使用完毕后可快速的生物降解，不会对环境造成污染。
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公开(公告)号：CN114755884B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210663716.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种有机‑无机杂化飞秒激光直写光刻胶，按质量百分比计，由4‑6wt%的酸A、2‑3wt%的单体B、2‑3wt%硫醇化合物C、0.2‑1.0wt%光引发剂D及87‑91.8wt%溶剂E组成。酸A为锆基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯或两者的混合物，作为飞秒激光直写光刻胶的固态成膜树脂，可以在光刻胶涂膜后将光刻胶固态化，由此降低加工过程中活性种的扩散以提高精度和分辨率，同时提升光刻胶的力学强度，降低体积收缩率等。所述硫醇化合物C与酸A、单体B可以通过巯基烯点击反应高效快速的交联形成网络结构。同时硫醇化合物C具有抗氧阻聚的作用，可高效地的提升飞秒激光直写的速度。
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