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公开(公告)号：CN118625598A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310740014.6
申请日：2023-06-21
Abstract: 本发明公开了一种基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶及其图案化方法。所述基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶按质量份数计，包括以下组分：1‑3份聚羟基苯乙烯化合物，1‑7份活性交联剂，0.2‑0.5份双光子引发剂，0‑0.5份增敏剂，0～90份溶剂。本发明提供的基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶具有良好的成膜性，利用飞秒激光直写光刻系统，可以刻写出满足微纳加工需求的光刻胶线条，具有良好的精度，在微纳电子器件、集成电路和显示面板等半导体制造领域内有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115793395A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211599240.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种基于双抑制效应的高精度飞秒激光直写光刻胶组合物及其应用。所述飞秒激光直写光刻胶组合物包括单体、双光子引发剂和阻聚剂；所述单体选自丙烯酸酯类化合物和甲基丙烯酸酯类化合物中的一种或多种按任意配比的组合；以单体质量为100％计，双光子引发剂和阻聚剂的质量百分比为0.5‑5wt％和0.1‑5wt％。本发明公开的光刻胶组合物中加入了阻聚剂，利用化学抑制效应可以提高飞秒激光直写的刻写精度。本发明提供了所述光刻胶组合物在飞秒激光直写制备微结构中的应用，其结合了PPI的物理抑制和阻聚剂的化学抑制两种抑制效应，可以显著提高飞秒激光直写的刻写精度，获得极高精度的高质量刻写线条。
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公开(公告)号：CN116300310B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310020668.1
申请日：2023-01-06
Abstract: 一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的方法，通过在光刻胶单体中加入的光引发剂7‑二乙基氨‑3‑(2‑噻吩基)香豆素(DETC)，利用边缘光抑制效应(PPI)，可以实现高精度激光直写；同时，利用其本身的荧光发光特性，及其存在的本征受激辐射效应，还可以实现超分辨受激辐射损耗显微成像(STED)。本发明利用DETC这些特性，在同一个装置中同时构建激光直写系统和显微成像系统，同时实现高精度刻写与超分辨成像。相比于掺杂荧光染料的方式，简化了光刻胶的成分，在一个系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像，将刻写系统中的抑制光光路复用于成像系统中的损耗光路，有效简化了系统。本发明还包括一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的装置。
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公开(公告)号：CN115793395B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211599240.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种基于双抑制效应的高精度飞秒激光直写光刻胶组合物及其应用。所述飞秒激光直写光刻胶组合物包括单体、双光子引发剂和阻聚剂；所述单体选自丙烯酸酯类化合物和甲基丙烯酸酯类化合物中的一种或多种按任意配比的组合；以单体质量为100％计，双光子引发剂和阻聚剂的质量百分比为0.5‑5wt％和0.1‑5wt％。本发明公开的光刻胶组合物中加入了阻聚剂，利用化学抑制效应可以提高飞秒激光直写的刻写精度。本发明提供了所述光刻胶组合物在飞秒激光直写制备微结构中的应用，其结合了PPI的物理抑制和阻聚剂的化学抑制两种抑制效应，可以显著提高飞秒激光直写的刻写精度，获得极高精度的高质量刻写线条。
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公开(公告)号：CN116974143A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310700233.1
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光直写光刻胶及其在制备硅纳米图案中的应用。所述飞秒激光直写光刻胶包括未经改性或经过硅烷偶联剂改性的纳米硅颗粒、光引发剂、单体、树脂、分散剂和溶剂。本发明提供了所述的飞秒激光直写光刻胶在制备硅纳米图案中的应用，具体步骤为：(1)将涂有所述飞秒激光直写光刻胶的硅片放到飞秒激光直写系统的载物台上，开启飞秒激光直写系统，启动飞秒激光进行刻写；(2)将刻写后的光刻胶进行显影，得到微结构；(3)将得到的微结构于光刻胶组分中有机物的玻璃化转化温度以上进行加热，得到硅颗粒组成的硅纳米图案。本发明提供的硅基转移方案转移难度低，转移精度高，对比深硅刻蚀的转移方法极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN116859668A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310703748.7
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种阳离子型双光子光刻胶及其图案化方法。所述阳离子型双光子光刻胶含有环氧树脂、活性稀释剂、光酸型引发剂和敏化剂；所述的环氧树脂选自下列至少一种：苯酚型酚醛环氧树脂、邻甲酚型酚醛环氧树脂、双酚A型酚醛环氧树脂、四酚基乙烷四缩水甘油醚环氧树脂；所述的敏化剂选自下列至少一种：2‑异丙基硫杂蒽酮、5‑硝基苊、7‑二乙氨基‑3‑噻吩甲酰基香豆素、苯并蒽酮、9‑苯基吖啶、苯并噻唑、N‑乙烯基咔唑和酚噻嗪。本发明提供的阳离子型光刻胶的灵敏度高，既满足了高速刻写的需求，也不需要复杂的敏化剂合成步骤；双光子刻写的速度可以达到100mm/s，线条质量均匀清晰。
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公开(公告)号：CN116719208A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310701857.5
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种激光直写高速高精度铜基光刻胶及其半导体图案化方法。所述激光直写铜基光刻胶包括铜基光刻胶单体、双光子引发剂、抑制剂和溶剂；所述的抑制剂为TEMPO、BTPOS和DMPO中的至少一种；所述激光直写铜基光刻胶中，铜基光刻胶单体的质量为溶剂质量的2‑8％，双光子引发剂的质量为铜基光刻胶单体质量的0.25％‑2.5％，抑制剂的质量为铜基光刻胶单体质量的0.25％‑2.5％。本发明提供的铜基光刻胶在780nm波长的飞秒激光下聚合，最高精度可达亚50nm，最高刻写速度可达200mm/s，热解后可获得氧化铜半导体的微纳图案。
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公开(公告)号：CN116300310A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310020668.1
申请日：2023-01-06
Abstract: 一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的方法，通过在光刻胶单体中加入的光引发剂7‑二乙基氨‑3‑(2‑噻吩基)香豆素(DETC)，利用边缘光抑制效应(PPI)，可以实现高精度激光直写；同时，利用其本身的荧光发光特性，及其存在的本征受激辐射效应，还可以实现超分辨受激辐射损耗显微成像(STED)。本发明利用DETC这些特性，在同一个装置中同时构建激光直写系统和显微成像系统，同时实现高精度刻写与超分辨成像。相比于掺杂荧光染料的方式，简化了光刻胶的成分，在一个系统中同时实现高精度刻写与超分辨成像，将刻写系统中的抑制光光路复用于成像系统中的损耗光路，有效简化了系统。本发明还包括一种利用光引发剂实现超分辨激光直写与成像的装置。
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公开(公告)号：CN116770297A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310742664.4
申请日：2023-06-21
Abstract: 本发明公开了一种膜层材料辅助生长的锌基多级微纳结构及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在有机溶剂与水的混合液中加入锌源和含氮有机配体，在室温下充分混合均匀，得到澄清溶液；(2)在步骤(1)所得澄清溶液中加入有机羧酸配体，并在室温下充分混合均匀，得到制备锌基多级微纳结构的母液；(3)将膜层材料作为基底垂直置入步骤(2)所得母液中，置于90～120℃环境内保温15～48小时，即在所述基底表面得到锌基多级微纳结构。本发明的锌基多级微纳结构是由长条纳米棒或纳米线组装而成的球状形貌的锌基微纳结构，制备方法简单、流程短，原料方便易得，适合完成大面积多级微纳结构的制备。
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公开(公告)号：CN116731338A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310708189.9
申请日：2023-06-15
Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒激光直写的图案化UiO系列无机膜的制备方法以及凝胶化配体溶液。所述基于飞秒激光直写的图案化UiO系列无机膜的制备方法包括如下步骤：A：图案化ZrO2薄膜的制备；B：UiO系列无机膜的凝胶化配体溶液的制备；C：UiO系列无机膜的制备。本发明提供了一种用于制备UiO系列无机膜的凝胶化配体溶液，其通过如下方法制备：将有机配体和调节剂溶解在DMF中，制备得到凝胶化配体溶液；所述的调节剂为三乙胺或氢氧化钾；所述的有机配体为下列化合物a‑c中的一种。本发明采用凝胶法旋涂制备图案化UiO系列无机膜，不仅减少了溶剂用量，而且有效降低反应温度，能够获得微米尺度的图案化UiO系列无机膜。#imgabs0#
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