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公开(公告)号：CN106256931A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610455007.1
申请日：2016-06-22
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 一般财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: C30B29/36 , C30B25/00 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/186 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/48 , C23C16/325 , C30B23/025 , C30B29/36 , C30B25/00 , C30B25/20 , H01L21/2053
Abstract: 本发明涉及SiC晶体的制造方法。本发明提供可有效地掺杂氮的SiC晶体的制造方法。另外，提供一种可仅对SiC晶体的一部分区域提高N施主浓度的SiC晶体的制造方法。SiC晶体的制造方法，其为供给含Si、C及N的原料气体从而使N掺杂的SiC晶体在SiC基板上气相生长的SiC晶体的制造方法，其中，上述SiC基板为表面的一部分或全部沉积有La、Ce或Ti的SiC基板，或者为表面的一部分为全部离子注入有La、Ce或Ti的SiC基板。
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公开(公告)号：CN101932757B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980103467.6
申请日：2009-01-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 在使P型SiC半导体单晶在SiC单晶基底上生长的方法中，使用其中C溶解在Si熔体中的第一溶液，将Al和N添加到所述第一溶液中，使得添加的Al的量大于添加的N的量，由此制备第二溶液，并由所述第二溶液在SiC单晶基底上生长所述P型SiC半导体单晶。提供了通过上述方法生长的p型SiC半导体单晶，其含有1×1020cm-3的Al和2×1018至7×1018cm-3的N作为杂质。
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公开(公告)号：CN102473602A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034296.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/78
Abstract: 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1-x-y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x-0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝-2.504x2-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。
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公开(公告)号：CN103534792B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201280023671.9
申请日：2012-05-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/322 , H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/16
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102224592B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200980146754.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/24 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/046 , H01L29/1608
Abstract: 一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)＞5×1018/cm3；以及0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。更优选Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：(Al的浓度)≥5×1018/cm3；以及1×1017/cm3≤(Ti的浓度)≤1×1018/cm3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101932757A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103467.6
申请日：2009-01-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 在使p型SiC半导体单晶在SiC单晶基底上生长的方法中，使用其中C溶解在Si熔体中的第一溶液，将Al和N添加到所述第一溶液中，使得添加的Al的量大于添加的N的量，由此制备第二溶液，并由所述第二溶液在SiC单晶基底上生长所述p型SiC半导体单晶。提供了通过上述方法生长的p型SiC半导体单晶，其含有1×1020cm-3的Al和2×1018至7×1018cm-3的N作为杂质。
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公开(公告)号：CN106256931B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610455007.1
申请日：2016-06-22
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 一般财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: C30B29/36 , C30B25/00 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及SiC晶体的制造方法。本发明提供可有效地掺杂氮的SiC晶体的制造方法。另外，提供一种可仅对SiC晶体的一部分区域提高N施主浓度的SiC晶体的制造方法。SiC晶体的制造方法，其为供给含Si、C及N的原料气体从而使N掺杂的SiC晶体在SiC基板上气相生长的SiC晶体的制造方法，其中，上述SiC基板为表面的一部分或全部沉积有La、Ce或Ti的SiC基板，或者为表面的一部分为全部离子注入有La、Ce或Ti的SiC基板。
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公开(公告)号：CN102473602B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080034296.9
申请日：2010-08-04
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/78
Abstract: 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1?x?y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x?0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝?1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝?2.504x2?0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。
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公开(公告)号：CN102325929B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080008632.2
申请日：2010-02-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B29/36 , H01L21/04 , C30B15/00 , C30B19/00
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B19/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/872
Abstract: 一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。
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