公开(公告)号：CN101461046A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780019660.2

申请日：2007-05-30

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人立命馆

Inventor： 城川润二郎 ,  铃木彰 ,  小嵜正芳 ,  平田宏治

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种具有包含AlGaN层和GaN层的AlGaN－GaN异质结结构的半导体器件，该器件显示出不随时间变化的薄层电阻。如图1所示，在具有包含AlGaN层1和GaN层2的AlGaN－GaN异质结结构的半导体器件中，当AlGaN的Al摩尔分数(x％)和AlGaN层的厚度(y nm)满足关系x+y＜55、25≤x≤40和y≥10时，y小于临界厚度，由此在AlGaN层中不产生裂缝。因此，本发明提供尽管Al摩尔分数较高但仍显示出几乎不随时间变化的薄层电阻的半导体器件。