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公开(公告)号：CN112466829A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011458682.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L29/06 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装结构及其制备方法，方法包括以下步骤：提供具有第一和第二表面的衬底晶圆，其中形成有硅通孔结构；形成连接硅通孔结构的焊垫结构；形成位于衬底晶圆边缘区域的修整槽；将第一表面粘合于第一衬底，并对第二表面进行减薄，以暴露出硅通孔结构；在第二表面形成连接硅通孔结构的焊球结构；将第二表面粘合于第二衬底，并剥离第一衬底；将焊垫结构连接芯片。本发明通过在待减薄的衬底晶圆中引入修整槽，减少了减薄产生的应力，降低了晶圆破裂的风险；在减薄等工艺过程中通过引入临时键合的衬底还有效防止了晶圆异常翘曲，提升了制程可靠性；多层芯片结构还有效减少了封装尺寸，提升了封装结构的电热性能和通信性能。
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公开(公告)号：CN112582284A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910944739.0
申请日：2019-09-30
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成临时键合层、贴片膜；将待封装芯片固定于贴片膜上；制备导电柱；采用封装层封装待封装芯片制备重新布线层；制备金属凸块；基于述临时键合层剥离支撑基底。本发明采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式，在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用锡膏印刷或者植球的方式形成金属凸块，减少制程的复杂性。
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公开(公告)号：CN112713097A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911021293.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本发明提供一种天线封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成重新布线层、第一天线层、第一金属馈线柱、第一封装层、第二天线层、第二金属馈线柱、第二封装层、第三天线层、半导体芯片、金属凸块及第三封装层。本发明基于第三封装层对半导体芯片进行保护，将芯片和金属凸块同时封装，可有效提高封装结构的稳定性，通过多层金属馈线柱及多层封装层形成多层天线结构，可以小封装尺寸，可以增强接收信号能力，扩大接收信号频宽，形成底部填充层，提高封装结构稳定性，半导体芯片、重新布线层及天线金属等结构设置为垂直排列结构，可有效缩短组件之间传导路径，有更好的电性和天线性能，具有较低的功耗，制程结构整合性高。
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公开(公告)号：CN112582354A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910944670.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装结构及封装方法，封装方法包括：提供待封装晶圆；制备导电柱；于待封装晶圆中制备凹槽结构；形成封装层，延伸至凹槽结构中；制备引出焊垫；显露形成于凹槽结构中的封装层；自凹槽结构对应的位置进行切割。本发明采用基于凹槽结构切割晶圆的晶圆级封装方法，在扇出型晶圆级封装中，有利于保护芯片，防止晶圆破裂，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，采用表贴层还实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用基于平坦化辅助层及金属连接层制备的引出焊垫进行待封装芯片的电性引出，可以提高引出的电学性能及连接稳定性，提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN112713098A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911021331.2
申请日：2019-10-25
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本发明提供一种天线封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成重新布线层、第一天线层、第一金属馈线柱、第一封装层、第二天线层、第二金属馈线柱、第二封装层、第三天线层、半导体芯片、金属凸块及第三封装层。本发明基于第三封装层对半导体芯片进行保护，将芯片和金属凸块同时封装，可有效提高封装结构的稳定性，先在封装层中开孔再形成金属凸块，简化工艺，有利于金属凸块的制备，通过多层金属馈线柱及多层封装层形成多层天线结构，减小封装尺寸，增强接收信号能力，扩大接收信号频宽，形成底部填充层，提高封装稳定性，增加围坝点胶工艺，提高芯片的稳定性，对芯片进行双重保护，并可以有效减少封装工艺流程，提高工艺周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582287A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910944686.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成临时键合层；将待封装芯片固定于临时键合层上；制备导电柱；采用封装层封装待封装芯片；制备重新布线层；制备引出焊垫；基于述临时键合层剥离支撑基底。本发明采用基于平坦化辅助层及金属连接层制备的引出焊垫进行待封装芯片的电性引出，可以提高引出的电学性能以及连接稳定性，提高封装结构的整体性能，采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN112466855A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011453915.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Inventor： 薛亚媛
IPC: H01L23/66 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01Q1/22 , H01Q1/38
Abstract: 本发明提供了一种天线芯片封装结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一支撑衬底，并形成重新布线层；在重新布线层上依次形成第一天线层、第一连接结构以及第一封装层；在第一封装层上方依次形成第二天线层、第二连接结构以及第二封装层；在第二封装层上方形成第三天线层；在第二封装层和第三天线层上方键合第二支撑衬底；去除第一支撑衬底，并在重新布线层下方形成凸点下金属层；在凸点下金属层上形成焊球以及连接芯片。本发明通过引入多层的天线层结构，减小了封装结构尺寸；采用激光钻孔使通孔形成工艺精度高、成本低；通过引入凸点下金属层与焊球及芯片连接，焊接效果好，可靠性高；通过引入第二支撑衬底改善了封装结构的翘曲度。
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公开(公告)号：CN210467804U
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201921658414.8
申请日：2019-09-30
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/78
Abstract: 本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，包括：封装晶圆；导电柱与所述封装晶圆电连接；凹槽结构贯穿所述封装晶圆以将封装晶圆分成若干个封装芯片；封装层延伸至凹槽结构中且包围导电柱并显露导电柱的顶部；引出焊垫与导电柱电连接。本实用新型采用基于凹槽结构切割晶圆的晶圆级封装方法，在扇出型晶圆级封装中，有利于保护芯片，防止晶圆破裂，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，采用表贴层还实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用基于平坦化辅助层及金属连接层制备的引出焊垫进行待封装芯片的电性引出，可以提高引出的电学性能及连接稳定性，提高封装结构的整体性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210692484U
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201921804313.7
申请日：2019-10-25
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种天线封装结构，包括：重新布线层、第一天线层、第一金属馈线柱、第一封装层、第二天线层、第二金属馈线柱、第二封装层、第三天线层、半导体芯片、金属凸块及第三封装层。本实用新型基于第三封装层对半导体芯片进行保护，将芯片和金属凸块同时封装，可有效提高封装结构的稳定性，先在封装层中开孔再形成金属凸块，简化工艺，有利于金属凸块的制备，通过多层金属馈线柱及多层封装层形成多层天线结构，减小封装尺寸，增强接收信号能力，扩大接收信号频宽，形成底部填充层，提高封装稳定性，增加围坝点胶工艺，提高芯片的稳定性，对芯片进行双重保护，并可以有效减少封装工艺流程，提高工艺周期。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210692486U
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201921804349.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种天线封装结构，包括：重新布线层、第一天线层、第一金属馈线柱、第一封装层、第二天线层、第二金属馈线柱、第二封装层、第三天线层、半导体芯片、金属凸块及第三封装层。本实用新型基于第三封装层对半导体芯片进行保护，将芯片和金属凸块同时封装，可有效提高封装结构的稳定性，通过多层金属馈线柱及多层封装层形成多层天线结构，可减小封装尺寸，增强接收信号能力，扩大接收信号频宽，形成底部填充层，提高封装结构稳定性，半导体芯片、重新布线层及天线金属等结构设置为垂直排列结构，可有效缩短组件之间传导路径，有更好的电性和天线性能，具有较低的功耗，制程结构整合性高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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