公开(公告)号：CN117305803A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311239444.6

申请日：2023-09-25

Applicant: 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司

Inventor： 王亚峰 ,  彭立培 ,  冀嘉梁 ,  薄林 ,  裴佳莹 ,  张旭 ,  周琪琪 ,  郭晓彬

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C22C1/00

Abstract: 本发明涉及一种高纯钼铼合金的制备方法，包括以下步骤：S1、将钼和铼的金属前驱体进行一级预混，形成混合料；S2、将混合料通入二级混合，在二级混合中再次混匀并对混合料进行预热；S3、将预热后的混合料和氢气通入带有基体材料的反应器，进行反应，反应产物沉积在基体上；S4、将S3所得产品取出，采用酸溶法或机加工方法去除基体得到高纯钼铼合金制品。本发明首次利用化学气相沉积法将两种金属前驱体在特定条件下进行反应制备高纯钼铼合金，本发明不仅可以制备出高纯钼铼合金，而且将化学气相沉积反应的副产物以及未参与反应的原料进行回收处理再利用，提升原料利用率，降低了生产成本有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN119551724A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411609652.5

申请日：2024-11-12

Applicant: 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司

Inventor： 裴佳莹 ,  冀嘉梁 ,  薄林 ,  王亚峰 ,  杨雷雷 ,  李林 ,  蒋玉虎 ,  滕莹

IPC: C01G39/00 ,  B01J3/00 ,  B01J3/02 ,  B01J3/03

Abstract: 本发明涉及一种二氯二氧化钼的制备方法，该方法包括以下步骤：S1、将原料金属钼置于反应器内，后对反应器进行抽真空操作；S2、对反应器进行加热，控制温度为180～600℃，再将氧气和氯化氢通入反应器内，反应0.5～3小时；S3、将S2得到的反应产物，进行两级纯化，一级纯化温度控制为150～350℃，二级纯化温度控制为‑50～50℃，压力控制为‑0.09～0.05Mpa，保持0.5～2小时；S4、纯化结束后，对二氯二氧化钼进行多次取样检测，指标合格后收集。本发明通过使用高纯度的氯化氢和氧气作为反应气体，与金属钼进行反应，并在反应后通过两级纯化过程，有效地提高了产物的纯度，这种方法制备的二氯二氧化钼纯度可达99.99％以上。

公开(公告)号：CN118831990A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410793758.9

申请日：2024-06-19

Applicant: 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司

Inventor： 冀嘉梁 ,  王亚峰 ,  裴佳莹 ,  薄林 ,  闫云 ,  耿思瑶 ,  李泓霖 ,  姚佳磊

IPC: B21C37/04 ,  C22F1/18 ,  C21D9/00 ,  B21J5/00

Abstract: 本申请涉及半导体高纯材料领域，具体涉及一种超高纯钨丝的制备方法。包括如下步骤：步骤S1在超高纯钨板上切割出直径为19～21mm的超高纯钨棒；步骤S2将步骤S1中的超高纯钨棒先进行高温热处理，随后经过连续加热‑旋锻，并重复加热‑旋锻，得到预处理超高纯钨棒；步骤S3.将步骤S2的预处理超高纯钨棒依次经附着石墨乳、加热和拉丝过程得到黑钨丝，重复石墨乳、加热和拉丝过程，随后进行电解抛光处理得到超高纯钨丝。本申请采用化学气相沉积法(CVD)制备的7N级超高纯钨板制备高纯钨丝。将超高纯钨棒先进行高温热处理，采用连续加热‑旋锻，随后对高纯钨棒进行了精细的拉丝处理，本申请的拉丝方法保证了钨丝的纯度和优异性能。

公开(公告)号：CN118745565A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410846242.6

申请日：2024-06-27

Applicant: 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司

Inventor： 王亚峰 ,  彭立培 ,  薄林 ,  任鹏洲 ,  侯雨飞 ,  张储桥 ,  闫亚杰 ,  段海洋

IPC: C23C16/14 ,  C22B34/34 ,  C22B5/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C14/35

Abstract: 本申请涉及一种高纯钼的制备装置及方法，属于难熔金属制备特种技术领域。将原料进入反应装置之前将六氟化钼和氢气在混合装置混合，充分混合后的物料再进入反应装置，再利用一种高纯钼制品的制备进行反应，多余的尾气则进入循环处理装置中，循环处理装置中的物料继续进入反应装置循环反应，得到纯度在99.9999％及以上的高纯钼制品。本申请的设备简单，便于操作，本申请通过设置回收器，可以将反应产生的尾气重新利用，再次生成高纯钼，可以提升原料的转化率，避免原料浪费，本申请的制备方法反应流程短，产品厚度自由可控，产品纯度高，可大幅度提高终端产品的良率。

公开(公告)号：CN119345723A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411761082.1

申请日：2024-12-03

Applicant: 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司

Inventor： 裴佳莹 ,  薄林 ,  王亚峰 ,  彭立培 ,  姚冰洁 ,  谢晓东 ,  蒋玉虎 ,  吕舜

IPC: B01D3/14 ,  B01D3/32 ,  B01D3/42 ,  B01D5/00 ,  B01D53/04

Abstract: 本发明提供了一种四氟化锗的纯化装置，包括粗品罐，所述粗品罐连接第一吸附塔，所述第一吸附塔连接第二吸附塔，所述第二吸附塔连接第一精馏塔，所述第一精馏塔连接第二精馏塔，所述第一精馏塔连接第一冷凝器，所述第二精馏塔连接第二冷凝器，所述第一精馏塔上安装有第一加热器，所述第二精馏塔上安装有第二加热器。一种四氟化锗的纯化方法，包括两次吸附和两次精馏。本发明采用吸附和精馏的纯化方式，得到高纯度的四氟化锗，其纯化效果优异，得到的产品纯度可达99.99％，有效解决了半导体工业领域四氟化锗产品纯度不足的问题。

公开(公告)号：CN222861628U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421536109.2

申请日：2024-07-01

Applicant: 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司

Inventor： 王亚峰 ,  彭立培 ,  裴佳莹 ,  薄林 ,  孙国才 ,  苏嘉轩 ,  许晖 ,  黄善鑫

IPC: C23C16/455

Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种CVD工艺制备钨坩埚的沉积炉装置，包括沉积室、安装在所述沉积室的外壳上的进气口和出气口、安装在沉积室内壁上的旋转叶片和多孔布气板以及安装在沉积室底部的内筒体，所述沉积室的上方设置有混料室。因此，通过一种CVD工艺制备钨坩埚的沉积炉装置，解决分布板的分布效果有限，导致源气体在沉积室内分布不均，从而出现基体上钨沉积厚度不均匀的现象，导致源气体损耗过大，影响沉积效率和沉积品质的技术问题。