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公开(公告)号：CN110165420B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910440777.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器。它包括N×N个周期排列的结构单元，N为自然数；每个结构单元从上到下依次为圆盘图案、介质层和金属基底；4个圆盘图案位于顶层，以中心对称的方式分布在介质层上；介质层的下层为金属基底；4个圆盘图案的材料为二硒化钼，通过调节二硒化钼的结合能，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现红外窄带可调吸收。本发明的基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点。
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公开(公告)号：CN110289500B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910346269.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点，可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号：CN110289500A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910346269.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点，可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号：CN110165420A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910440777.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器。它包括N×N个周期排列的结构单元，N为自然数；每个结构单元从上到下依次为圆盘图案、介质层和金属基底；4个圆盘图案位于顶层，以中心对称的方式分布在介质层上；介质层的下层为金属基底；4个圆盘图案的材料为二硒化钼，通过调节二硒化钼的结合能，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现红外窄带可调吸收。本发明的基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108365315A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810084257.8
申请日：2018-01-29
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明公开了一种可调太赫兹单向传输器。它包括基底层、第一模式选择器、Farady-45°旋转器、Cotton Motton-45°旋转器和第二模式选择器；在基底层的上方从左到右依次铺设着第一模式选择器、Farady-45°旋转器、Cotton Motton-45°旋转器和第二模式选择器。太赫兹波从隔离器的第一模式选择器输入，依次穿过第一模式选择器、Farady-45°旋转器、Cotton Motton-45°旋转器和第二模式选择器后输出了；不同的频率下的正向透过率对应的磁场强度是不同的，因此，可以通过改变外加磁场强度来实现太赫兹可调单向传输功能；本发明具有结构简单紧凑、正向透过率高、控制原理简单等优点。
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公开(公告)号：CN108336503A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810064216.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电调太赫兹波吸收器。它包括顶层介质光栅、上层介电薄膜、石墨烯、下层介电薄膜和金属基底；介质光栅的下层为上层介电薄膜，上层介电薄膜的下层为石墨烯，石墨烯下层为下层介电薄膜，下层介电薄膜下层为金属基底，石墨烯层和金属基底通过电压源相连，通过电压改变石墨烯层的费米能级，从而在吸收峰处实现高吸收率；太赫兹波以入射角为θ射入，少部分太赫兹波在介质光栅层发生反射，其余太赫兹波发生折射，进入吸收器内部，通过调节石墨烯层的费米能级，实现太赫兹波吸收峰的调谐。本发明具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制原理简单等优点。
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公开(公告)号：CN108336503B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810064216.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电调太赫兹波吸收器。它包括顶层介质光栅、上层介电薄膜、石墨烯、下层介电薄膜和金属基底；介质光栅的下层为上层介电薄膜，上层介电薄膜的下层为石墨烯，石墨烯下层为下层介电薄膜，下层介电薄膜下层为金属基底，石墨烯层和金属基底通过电压源相连，通过电压改变石墨烯层的费米能级，从而在吸收峰处实现高吸收率；太赫兹波以入射角为θ射入，少部分太赫兹波在介质光栅层发生反射，其余太赫兹波发生折射，进入吸收器内部，通过调节石墨烯层的费米能级，实现太赫兹波吸收峰的调谐。本发明具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制原理简单等优点。
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