-
公开(公告)号：CN114959635B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210479949.9
申请日：2022-05-05
Applicant: 中国计量大学
IPC: C23C16/30 , B01J27/051 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法，其制备方案包括以下步骤：首先以氧化钼粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，在双温区管式炉中加热反应生长出单层二硫化钼；然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，以生长有二硫化钼的衬底作为生长基底，在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和二维单层的二硫化钼所构成，所述硫化锡纳米线外延生长在所述二硫化钼的表面；该异质结材料化学性质稳定，光谱响应范围宽，且具有II型的能带结构便于光生载流子分离，在光电器件领域具有广泛的应用前景。本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。
-
公开(公告)号：CN113278949B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110412003.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，采用钼箔、硫粉和硒粉作为生长源，溴化钠作为生长促进剂，通过一种面对面的短程垂直近稳态供源方式，借助氧气辅助生长制备出高质量、组分可调的单层硫硒化钼连续薄膜。本发明所述对钼箔进行表面盐浴处理，能够降低了钼源升华温度，有利于硫硒化钼的成核和二维生长；在生长中引入氧气，通过面对面的短程垂直近稳态供源方式能够控制硫硒化钼成核密度、单晶畴分布及其尺寸。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、可控性好、重复性高，由该方法制得的单层硫硒化钼材料晶体质量高，其合金组分比和带隙能够随硫/硒源质量比连续可调。
-
公开(公告)号：CN113278949A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110412003.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，采用钼箔、硫粉和硒粉作为生长源，溴化钠作为生长促进剂，通过一种面对面的短程垂直近稳态供源方式，借助氧气辅助生长制备出高质量、组分可调的单层硫硒化钼连续薄膜。本发明所述对钼箔进行表面盐浴处理，能够降低了钼源升华温度，有利于硫硒化钼的成核和二维生长；在生长中引入氧气，通过面对面的短程垂直近稳态供源方式能够控制硫硒化钼成核密度、单晶畴分布及其尺寸。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、可控性好、重复性高，由该方法制得的单层硫硒化钼材料晶体质量高，其合金组分比和带隙能够随硫/硒源质量比连续可调。
-
公开(公告)号：CN114959635A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210479949.9
申请日：2022-05-05
Applicant: 中国计量大学
IPC: C23C16/30 , B01J27/051 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法，其制备方案包括以下步骤：首先以氧化钼粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，在双温区管式炉中加热反应生长出单层二硫化钼；然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，以生长有二硫化钼的衬底作为生长基底，在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和二维单层的二硫化钼所构成，所述硫化锡纳米线外延生长在所述二硫化钼的表面；该异质结材料化学性质稳定，光谱响应范围宽，且具有II型的能带结构便于光生载流子分离，在光电器件领域具有广泛的应用前景。本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
