公开(公告)号：CN114959635B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202210479949.9

申请日：2022-05-05

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 舒海波 ,  盛创伟 ,  张铭松 ,  张颖 ,  黄杰

IPC: C23C16/30 ,  B01J27/051 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法，其制备方案包括以下步骤：首先以氧化钼粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，在双温区管式炉中加热反应生长出单层二硫化钼；然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，以生长有二硫化钼的衬底作为生长基底，在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和二维单层的二硫化钼所构成，所述硫化锡纳米线外延生长在所述二硫化钼的表面；该异质结材料化学性质稳定，光谱响应范围宽，且具有II型的能带结构便于光生载流子分离，在光电器件领域具有广泛的应用前景。本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。

公开(公告)号：CN114959635A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210479949.9

申请日：2022-05-05

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 舒海波 ,  盛创伟 ,  张铭松 ,  张颖 ,  黄杰

IPC: C23C16/30 ,  B01J27/051 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法，其制备方案包括以下步骤：首先以氧化钼粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，在双温区管式炉中加热反应生长出单层二硫化钼；然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，以生长有二硫化钼的衬底作为生长基底，在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和二维单层的二硫化钼所构成，所述硫化锡纳米线外延生长在所述二硫化钼的表面；该异质结材料化学性质稳定，光谱响应范围宽，且具有II型的能带结构便于光生载流子分离，在光电器件领域具有广泛的应用前景。本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。