公开(公告)号：CN113278949A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110412003.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 舒海波 ,  唐鹏涛 ,  黄杰 ,  梁培 ,  张颖 ,  张铭松

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，采用钼箔、硫粉和硒粉作为生长源，溴化钠作为生长促进剂，通过一种面对面的短程垂直近稳态供源方式，借助氧气辅助生长制备出高质量、组分可调的单层硫硒化钼连续薄膜。本发明所述对钼箔进行表面盐浴处理，能够降低了钼源升华温度，有利于硫硒化钼的成核和二维生长；在生长中引入氧气，通过面对面的短程垂直近稳态供源方式能够控制硫硒化钼成核密度、单晶畴分布及其尺寸。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、可控性好、重复性高，由该方法制得的单层硫硒化钼材料晶体质量高，其合金组分比和带隙能够随硫/硒源质量比连续可调。

公开(公告)号：CN113278949B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110412003.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 舒海波 ,  唐鹏涛 ,  黄杰 ,  梁培 ,  张颖 ,  张铭松

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法，采用钼箔、硫粉和硒粉作为生长源，溴化钠作为生长促进剂，通过一种面对面的短程垂直近稳态供源方式，借助氧气辅助生长制备出高质量、组分可调的单层硫硒化钼连续薄膜。本发明所述对钼箔进行表面盐浴处理，能够降低了钼源升华温度，有利于硫硒化钼的成核和二维生长；在生长中引入氧气，通过面对面的短程垂直近稳态供源方式能够控制硫硒化钼成核密度、单晶畴分布及其尺寸。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、可控性好、重复性高，由该方法制得的单层硫硒化钼材料晶体质量高，其合金组分比和带隙能够随硫/硒源质量比连续可调。