-
公开(公告)号：CN110361424B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910644836.8
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种n‑p异质型核壳阵列气敏材料及制备方法，具体涉及一种p型纳米NiO为核，n型纳米SnO2为壳的核壳单体，其整体为高度有序纳米阵列的NiO@SnO2核壳阵列气敏材料及制备方法。该发明的气敏材料一方面避免了核层p型NiO直接暴露在空气中导致的界面电子耗尽，另一方面利用壳层的n型SnO2改善气敏材料的能带结构，且整体有序阵列增加了活性接触点，提高气敏材料对气体的敏感性。本发明所采用的方法原料来源广泛，价格低廉；所获得的的n‑p异质型NiO@SnO2核壳阵列气敏材料灵敏度高，选择性强。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
