-
公开(公告)号：CN102097265B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010617898.9
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
Abstract: 本发明涉及一种增强电子束流均匀性的装置，属于空间应用技术领域。本发明所述的一种增强电子束流均匀性的装置为电子散射网，所述电子散射网设置在距离产生散射型低能电子流的设备的发射口30～70mm处，电子散射网中孔隙的直径为0.1～0.5mm，电子散射网采用金属材料制成；散射型低能电子流的设备为电子枪时，将电子枪中的灯丝通过固定架固定在石棉座上。使用本发明的电子散射网，可使散射型低能电子流的设备发射出的电子束流散射面积增大大，电子束流均匀性增强，使用本发明的石棉座固定后的电子枪的灯丝不易发生形变。
-
公开(公告)号：CN102162825A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010624607.9
申请日：2010-12-30
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种介质材料充放电测试设备，包括真空系统、充放电系统、电位测试系统；其中真空系统包括真空罐、机械泵(3)、扩散泵(2)、多级旋片泵(1)、阀门、密封管路和工作台；充放电系统由电子枪(6)和样品(11)安装系统组成；电位测试系统包括电位计(9)和微电流计(14)，真空罐内放置有真空阀门(4)、真空计(5)；此外，还有挡板阀A(15)、挡板阀B(16)以及铜板(13)；总之，本设备利用表面电位探针测量样品表面电位随时间的衰减关系，根据测量到的不同时间的样品表面衰减电位可推算出样品的电导率。本发明中电导率测试设备适宜于深层充电危害评估，可以为深层充放电效应的防护提供有价值的工程数据。
-
公开(公告)号：CN102128985A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010624606.4
申请日：2010-12-30
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种介质材料充放电测试方法，具体为测试前准备完成后；将电位探头位于样品上方零电位点处；确定样品安放位置，用探头驱动机构确定电位测量点的位置坐标，然后，关闭真空罐，打开电子枪电源，用法拉第杯测试使样品进行电子辐照；每隔10分钟将电位计探头迅速下降至距样品前表面处，进行感应式非接触测量；微电流计和电位探头测得的数据在正负0.5％内波动，即认为样品充电饱和，关闭电子枪，利用样品内部电荷Q的泄放呈指数形式衰减类似的过程，来测量样品的电位衰减过程，总之，利用表面电位探针测量样品表面电位随时间的衰减关系，根据测量到的不同时间的样品表面衰减电位可推算出样品的电导率。本发明中电导率测试设备适宜于深层充电危害评估，可以为深层充放电效应的防护提供有价值的工程数据。
-
公开(公告)号：CN101728185A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910260398.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
Abstract: 本发明的一种散射型电子枪及使用方法，属于空间应用技术领域。本发明的散射型电子枪包括：阴极、辅助极、灯丝、陶瓷连接环、加速极、栅网。在真空中提供1～50KeV的低能电子；电子通过加速装置获取能量，并沿一定方向运动；发射电子通过栅网进行散射，产生密度为0.5～10nA/cm2的电子流。电子流散射均匀，能够在真空中模拟相应的空间电子环境。
-
公开(公告)号：CN102128985B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010624606.4
申请日：2010-12-30
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种介质材料充放电测试方法，具体为测试前准备完成后；将电位探头位于样品上方零电位点处；确定样品安放位置，用探头驱动机构确定电位测量点的位置坐标，然后，关闭真空罐，打开电子枪电源，用法拉第杯测试使样品进行电子辐照；每隔10分钟将电位计探头迅速下降至距样品前表面处，进行感应式非接触测量；微电流计和电位探头测得的数据在正负0.5％内波动，即认为样品充电饱和，关闭电子枪，利用样品内部电荷Q的泄放呈指数形式衰减类似的过程，来测量样品的电位衰减过程，总之，利用表面电位探针测量样品表面电位随时间的衰减关系，根据测量到的不同时间的样品表面衰减电位可推算出样品的电导率。本发明中电导率测试设备适宜于深层充电危害评估，可以为深层充放电效应的防护提供有价值的工程数据。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102162825B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010624607.9
申请日：2010-12-30
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种介质材料充放电测试设备，包括真空系统、充放电系统、电位测试系统；其中真空系统包括真空罐、机械泵(3)、扩散泵(2)、多级旋片泵(1)、阀门、密封管路和工作台；充放电系统由电子枪(6)和样品(11)安装系统组成；电位测试系统包括电位计(9)和微电流计(14)，真空罐内放置有真空阀门(4)、真空计(5)；此外，还有挡板阀A(15)、挡板阀B(16)以及铜板(13)；总之，本设备利用表面电位探针测量样品表面电位随时间的衰减关系，根据测量到的不同时间的样品表面衰减电位可推算出样品的电导率。本发明中电导率测试设备适宜于深层充电危害评估，可以为深层充放电效应的防护提供有价值的工程数据。
-
公开(公告)号：CN100550028C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710038438.9
申请日：2007-03-26
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种卫星太阳阵表面充电数值模拟预估的方法，它包括确定太阳电池阵所处的空间环境参数、太阳阵表面材料特性及结构参数、建立卫星太阳阵表面充电数值模拟模型、对模型进行数值模拟计算、建立卫星太阳阵表面充电电位图五个步骤；它以动态等离子体模型为基础，结合卫星结构及材料表面的特性，利用PIC方法，设计了粒子沉积判断算法和粒子-电流结合的模拟算法，对复杂的航天器结构与空间等离子体带电环境相互作用进行精确的数值分析，大大节约了卫星研制设计成本，可为卫星防护设计提供直接的参考数据，非常适用于航天器表面各种结构材料的充电数值分析。
-
公开(公告)号：CN102097265A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617898.9
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
Abstract: 本发明涉及一种增强电子束流均匀性的装置，属于空间应用技术领域。本发明所述的一种增强电子束流均匀性的装置为电子散射网，所述电子散射网设置在距离产生散射型低能电子流的设备的发射口30～70mm处，电子散射网中孔隙的直径为0.1～0.5mm，电子散射网采用金属材料制成；散射型低能电子流的设备为电子枪时，将电子枪中的灯丝通过固定架固定在石棉座上。使用本发明的电子散射网，可使散射型低能电子流的设备发射出的电子束流散射面积增大大，电子束流均匀性增强，使用本发明的石棉座固定后的电子枪的灯丝不易发生形变。
-
公开(公告)号：CN101276378A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710038438.9
申请日：2007-03-26
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种卫星太阳阵表面充电数值模拟预估的方法，它包括确定太阳电池阵所处的空间环境参数、太阳阵表面材料特性及结构参数、建立卫星太阳阵表面充电数值模拟模型、对模型进行数值模拟计算、建立卫星太阳阵表面充电电位图五个步骤；它以动态等离子体模型为基础，结合卫星结构及材料表面的特性，利用PIC方法，设计了粒子沉积判断算法和粒子－电流结合的模拟算法，对复杂的航天器结构与空间等离子体带电环境相互作用进行精确的数值分析，大大节约了卫星研制设计成本，可为卫星防护设计提供直接的参考数据，非常适用于航天器表面各种结构材料的充电数值分析。
-
公开(公告)号：CN101728185B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910260398.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
Abstract: 本发明的一种散射型电子枪及使用方法，属于空间应用技术领域。本发明的散射型电子枪包括：阴极、辅助极、灯丝、陶瓷连接环、加速极、栅网。在真空中提供1～50KeV的低能电子；电子通过加速装置获取能量，并沿一定方向运动；发射电子通过栅网进行散射，产生密度为0.5～10nA/cm2的电子流。电子流散射均匀，能够在真空中模拟相应的空间电子环境。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.035 seconds)
