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公开(公告)号：CN105093020B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510484539.3
申请日：2015-08-07
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法,步骤如下:对SiP进行开帽处理;获取SiP内部芯片信息,并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中;若辐射数据库中有相应SIP芯片的抗辐射性能数据,且所有SIP芯片均能达到抗单粒子指标要求,则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求;若某SIP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SIP芯片相应辐射性能试验数据;判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片;判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同;将叠层封装下方无法被辐射到的芯片,单独封装成器件;对封装成器件的芯片以及有层叠但是相同的芯片以及无层叠的芯片进行单粒子效应试验,获得试验数据,并判断是否满足抗单粒子指标。本发明解决了评估SiP器件抗单粒子效应能力不准确的问题。
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公开(公告)号：CN105150088A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510544165.X
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: B24B37/02 , B24B37/005 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/02 , B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 本发明公开了一种电子器件背面开孔减薄装置及减薄方法，包括：圆台固定夹具、升降载物台、纵向可伸缩旋转连杆、磨抛钻头、锁紧旋钮、传感器、传动皮带、电动马达、程控单元、数据传输线、连杆外壳和连杆弹簧；圆台固定夹具具有直角卡槽；升降载物台能够进行四边上下调节、平台前后左右移动；纵向可伸缩旋转连杆可上下伸缩移动，底端安装磨抛钻头和顶端安装传感器；锁紧旋钮将磨抛钻头锁紧；传感器，测量磨抛钻头与芯片接触时的接触点高度信息；传动皮带的一端连接电动马达和另一端连接纵向可伸缩旋转连杆；程控单元接收传感器反馈的接触点高度信息；连杆外壳位于纵向可伸缩旋转连杆的外端，连杆外壳上端内壁通过连杆弹簧与纵向可伸缩旋转连杆的上端相连。
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公开(公告)号：CN105093020A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510484539.3
申请日：2015-08-07
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，步骤如下：对SiP进行开帽处理；获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；若辐射数据库中有相应SIP芯片的抗辐射性能数据，且所有SIP芯片均能达到抗单粒子指标要求，则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求；若某SIP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SIP芯片相应辐射性能试验数据；判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片；判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同；将叠层封装下方无法被辐射到的芯片，单独封装成器件；对封装成器件的芯片以及有层叠但是相同的芯片以及无层叠的芯片进行单粒子效应试验，获得试验数据，并判断是否满足抗单粒子指标。本发明解决了评估SiP器件抗单粒子效应能力不准确的问题。
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公开(公告)号：CN102937698B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210390638.1
申请日：2012-10-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/3167
Abstract: 一种DC/DC转换器单粒子效应检测系统及检测方法，系统包括输出电压调整电路、输入保护电路、电源及其监测电路、多路采集电路以及控制与数据处理系统；检测时，控制与数据处理系统给电源及其监测电路发出控制信号令电源及其监测电路给被测DC/DC器件提供工作电压，输入保护电路对被测DC/DC的输入端进行保护；被测DC/DC转换器的输出端连接有负载电阻，输出端的输出电压通过输出电压调整电路后由多路采集电路进行采集，再送入控制与数据处理系统，通过对开冒后的被测DC/DC转换器的辐照敏感区域进行高能粒子照射，对比照射前后控制与数据处理系统接收到的电压信号，从而得出是否发生单粒子效应的结论。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103344897B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310231286.X
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路及方法，电路包括栅极偏置电路、漏极偏置电路和信号采集电路，方法包括对功率MOS管施加一定的偏置，在重离子辐照的情况下检测MOS管的源极电流，通过电流变化曲线来判断MOS管单粒子烧毁（SEB，single-event burnout）现象是否发生。本检测方法根据MOS管器件性能参数，设置器件的源极和漏极限流电阻和充放电电容，来保证SEB现象发生时的源极电流在可被检测的范围内，同时又确保器件未被烧毁而造成MOS管的破坏性失效。本发明方法简单，可以检测一只MOS管SEB效应的多次发生，同时又具有非破坏性的特点。
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公开(公告)号：CN103323627B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310247463.3
申请日：2013-06-20
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R1/00
Abstract: 一种单粒子试验样品开帽保护装置，包括：C型固定底座、纵向可伸缩旋转连杆、横向可移动连杆、锁紧旋钮、滑动固定端、皮筋、橡胶吸盘和阻挡布。在对金属盖板陶瓷封装单粒子试验样品开帽时，将本开帽保护装置上的橡胶吸盘与器件金属盖板连接，调整开帽保护装置与器件的距离与角度，使皮筋处于合适的拉伸长度、角度。当撬起金属盖板后，金属盖板将在皮筋的带动下离开器件表面，金属盖板弹射到阻挡布上时，将卸去弹力落到桌面，从而实现对器件金属盖板在开帽过程中的运动方向和最终下落位置进行控制，保护被开帽器件。
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公开(公告)号：CN116260676A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211706478.7
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H04L12/40
Abstract: 一种宇航用FC‑AE‑1553PON型网络通信控制方法，FC‑AE‑1553PON型网络高速通信控制器包含FC‑AE‑1553NT通信控制核、EMIF通信控制核。FC‑AE‑1553NT通信控制核通过FC‑AE‑1553PON型网络接口实现与NC通信，接收NC发送控制指令及数据，将数据存入数据缓存，控制指令转发给EMIF通信控制核，同时读取EMIF通信控制核存入数据缓存的应用层数据，并发送给NC；EMIF通信控制核通过EMIF接口实现与应用层通信，接收应用层发送的数据，将应用层发送数据存入数据缓存，同时读取FC‑AE‑1553NT通信控制核存入数据缓存的NC数据，将NC数据以及FC‑AE‑1553NT通信控制核发送的控制指令转发给应用层。
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